产品种类:

MOSFET

制造商:

ON Semiconductor

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220FP-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

200 V

Id-连续漏极电流:

9.5 A

Rds On-漏源导通电阻:

360 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

30 V

工作温度:

- 55 C

工作温度:

+ 150 C

封装:

Tube

通道模式:

Enhancement

商标名:

QFET

商标:

ON Semiconductor / Fairchild

配置:

Single

下降时间:

72 ns

正向跨导 - 值:

5.5 S

高度:

16.07 mm

长度:

10.36 mm

Pd-功率耗散:

38 W

上升时间:

92 ns

系列:

FQPF10N20C

工厂包装数量:

50

晶体管类型:

1 N-Channel

类型:

MOSFET

典型关闭延迟时间:

70 ns

典型接通延迟时间:

11 ns

宽度:

4.9 mm

零件号别名:

FQPF10N20C_NL

单位重量:

2.270 g