产品种类:

MOSFET

制造商:

Diodes Incorporated

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SO-8

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

Id-连续漏极电流:

10 A

Rds On-漏源导通电阻:

20 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

20 V

工作温度:

- 55 C

工作温度:

+ 150 C

配置:

Single Quad Drain Triple Source

通道模式:

Enhancement

封装:

Reel

商标:

Diodes Incorporated

下降时间:

14.53 ns

高度:

1.5 mm

长度:

4.95 mm

Pd-功率耗散:

1.52 W

产品:

MOSFET Small Signal

上升时间:

14.53 ns

系列:

DMN44

工厂包装数量:

2500

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

18.84 ns

典型接通延迟时间:

5.46 ns

宽度:

3.95 mm

单位重量:

74 mg