产品种类:

MOSFET

制造商:

ON Semiconductor

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-3PN-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

900 V

Id-连续漏极电流:

11 A

Rds On-漏源导通电阻:

1.4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:

30 V

工作温度:

- 55 C

工作温度:

+ 150 C

配置:

Single

通道模式:

Enhancement

商标名:

QFET

封装:

Tube

商标:

ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:

85 ns

高度:

20.1 mm

长度:

16.2 mm

Pd-功率耗散:

300 W

上升时间:

130 ns

系列:

FQA11N90C_F109

工厂包装数量:

30

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

130 ns

典型接通延迟时间:

60 ns

宽度:

5 mm

单位重量:

6.401 g