产品种类:

MOSFET

制造商:

Infineon

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOT-23-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

- 12 V

Id-连续漏极电流:

- 4.3 A

Rds On-漏源导通电阻:

50 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

8 V

工作温度:

- 55 C

工作温度:

+ 150 C

配置:

Single

通道模式:

Enhancement

商标:

Infineon / IR

下降时间:

210 ns

高度:

1.1 mm

长度:

2.9 mm

Pd-功率耗散:

1.3 W

上升时间:

32 ns

晶体管类型:

1 P-Channel

典型关闭延迟时间:

250 ns

典型接通延迟时间:

11 ns

宽度:

1.3 mm

单位重量:

1.438 g