数据列表 STP110N8F6;

标准包装   50

包装   管件  

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 STripFET™ F6

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 6.5 毫欧 @ 55A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 150nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 9130pF @ 40V

FET 功能 -

功率耗散（值） 200W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220

封装/外壳 TO-220-3

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