IR/国际整流器
IRFB3306GPBF
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
230W
60V
120A
类型:
电话:
联系人:马加鹏
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
数据列表 | IRFB3306GPbF |
产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源*电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏*(Id)(25° C时) | 120A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On(*大值) | 4.2毫欧@ 75A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(*大值) | 4V @ 150µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4520pF @ 50V |
功率-*大值 | 230W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司