型号：HRF-SW1021

霍尼韦尔HRF-SW1021是一个高性能单刀四掷（SP4T）吸收力的RF开关，适合用于要求低功率和插入损耗的无线基站和手机的应用场合。HRF-SW1021是用霍尼韦尔的绝缘体上硅(SOI)CMOS生产技术，具有GaAs的性能，也具有传统CMOS的经济性和集成能力。这些开关通过DC耦合，改善了较低操作频率、频率响应，并减少了所需要的DC偏压点的数量。 

HRF-SW1021霍尼韦尔RF无线传感器优势特点

• 典型的高隔离,在2GHz时>42dB
• 典型的低插入损耗,在1GHz时为1.2dB
• 集成CMOS控制器逻辑
• DC耦合、双向RF路径
• 单正极供电电压
• 超小VQFN封装件
• 75Ω系统的阻抗匹配
• 型号：HRF-SW1021
• 霍尼韦尔HRF-SW1021是一个高性能单刀四掷（SP4T）吸收力的RF开关，适合用于要求低功率和插入损耗的无线基站和手机的应用场合。HRF-SW1021是用霍尼韦尔的绝缘体上硅(SOI)CMOS生产技术，具有GaAs的性能，也具有传统CMOS的经济性和集成能力。这些开关通过DC耦合，改善了较低操作频率、频率响应，并减少了所需要的DC偏压点的数量。 

  HRF-SW1021霍尼韦尔RF无线传感器优势特点

• 典型的高隔离,在2GHz时>42dB
• 典型的低插入损耗,在1GHz时为1.2dB
• 集成CMOS控制器逻辑
• DC耦合、双向RF路径
• 单正极供电电压
• 超小VQFN封装件
• 75Ω系统的阻抗匹配

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