131 W
+ 150 C
- 40 C
0
企业名:深圳市宏南科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-32954081
0755-85225052
0755-33106750
0755-83995482
手机:13826543267
13823702843
18783017978
17688947206
联系人:刘先生/许先生/何小姐/朱小姐
邮箱:hongnankj@163.com
地址:广东深圳福田区华强北赛格科技园三栋六楼F18室(本公司可开17%增值发票)
∟ 半导体/集成电路产品线设备(1)
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 7.9-9.6GHz 100W GaN Gain 12.4dB 50OHM
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 12.4 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to + 2 V
Id-连续漏极电流: 12 A
输出功率: 131 W
漏极/栅极电压: -
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: -
安装风格: Screw
封装 / 箱体: 440210
封装: Tray
应用: -
商标: Wolfspeed / Cree
类: -
配置: Single
开发套件: CGHV96100F2-TB
正向跨导 - 值: -
闸/源截止电压: -
工作温度: - 40 C
NF—噪声系数: -
工作频率: 7.9 GHz to 9.6 GHz
工作温度范围: -
P1dB - 压缩点: -
Rds On-漏源导通电阻: -
工厂包装数量: 25
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
企业名:深圳市宏南科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
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