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场效应管|高压场效应管MOS管FNK55H11

场效应管|高压场效应管MOS管FNK55H11
场效应管|高压场效应管MOS管FNK55H11
  • 型号/规格:

    FNK55H11

  • 品牌/商标:

    FNK

  • 封装形式:

    TO-220-3L

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

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普通会员
产品分类
商品信息

器件简介

场效应管是常见的电子元件,属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^810^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。



操作模式

NMOS的漏极电流与漏极电压之间在不同VGSVth的关系
MOSFET在线性区操作的截面图
MOSFET在饱和区操作的截面图依照在MOSFET的栅极、源极,与漏极等三个端点施加的“偏压”(bias)不同,一个常见的加强型(enhancement mode)N型 MOSFET有下列三种操作区间:截止或次临限区(cut-off or sub-threshold region) 当栅极和源极间的电压VGS(G代表栅极,S代表源极)小于一个称为临界电压(threshold voltage,Vth)的值时,这个MOSFET是处在“截止”(cut-off)的状态,电流无法流过这个MOSFET,也就是这个MOSFET不导通。
但事实上当VGS>Vth、且VDS=0,一些拥有大量MOSFET的集成电路产品,如DRAM,次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。


惠州乾野电子产品的竞争力

1.      沿用AOS的研发设计,工艺和生产。

2.      专注从事驱动马达领域10年。

3.      特种封装,超薄,超小

4.      良好的性价比

5.      可为客户量身订做特殊产品



  公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。


  产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。


  从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。


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  关于价格问题:


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  我们会在确认合作方式以及合作达成时为您发货。发货打包我们都有专人严格检查商品的质量的,请放心购买。


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企业名:惠州市乾野电子有限公司

类型:生产企业

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