器件简介
场效应管是常见的电子元件,属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
操作模式
NMOS的漏极电流与漏极电压之间在不同VGSVth的关系
MOSFET在线性区操作的截面图
MOSFET在饱和区操作的截面图依照在MOSFET的栅极、源极,与漏极等三个端点施加的“偏压”(bias)不同,一个常见的加强型(enhancement mode)N型 MOSFET有下列三种操作区间:截止或次临限区(cut-off or sub-threshold region) 当栅极和源极间的电压VGS(G代表栅极,S代表源极)小于一个称为临界电压(threshold voltage,Vth)的值时,这个MOSFET是处在“截止”(cut-off)的状态,电流无法流过这个MOSFET,也就是这个MOSFET不导通。
但事实上当VGS>Vth、且VDS=0,一些拥有大量MOSFET的集成电路产品,如DRAM,次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。
惠州乾野电子产品的竞争力
1. 沿用AOS的研发设计,工艺和生产。
2. 专注从事驱动马达领域10年。
3. 特种封装,超薄,超小
4. 良好的性价比
5. 可为客户量身订做特殊产品
公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。
从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
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