IS62LV1024LL-55Q
ISSI
企业名:深圳市宝星微科技有限公司
类型:经销商
电话: 0755-888852264
联系人:某
邮箱:888852264@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北路华强广场C栋15K室/门市部:华强电子世界11C001
∟ SRAM (MOS型静态存储器)(3)
产品参数:
产品参数:
品牌: ISSI
型号: IS62LV1024LL-55Q
封装: SOP
批号: 0031+
类型: 存储器
(具体参数,请致电厂商进行咨询核实)
存储器读事务处理:
考虑三种简单的存储器读事务处理情况。种情况,存储器控制器发出每个事务处理,该事务处理与前一个事务处理产生一个库冲突。控制器必须在打开一个页和打开后续页之间等待一个tRC时间,这样增加了与页循环相关的延迟时间。在这种情况下的有效数据速率很大程度上决定于I/O,并主要受限于DRAM内核电路。的库冲突频率将有效带宽削减到当前端存储器技术峰值的20%到30%。
在第二种情况下,每个事务处理都以随机产生的地址为目标。此时,产生库冲突的机会取决于很多因素,包括tRC和存储器内核中库数量之间的相互作用。tRC值越小,开放页循环地越快,导致库冲突的损失越小。此外,存储器技术具有的库越多,随机地址存取库冲突的机率就越小。
第三种情况,每个事务处理就是页命中,在开放页中寻址不同的列地址。控制器不必访问关闭页,允许完全利用总线,这样就得到一种理想的情况,即有效数据速率等于峰值速率。
种和第三种情况都涉及到简单的计算,随机情况受其他的特性影响,这些特性没有包括在DRAM或者存储器接口中。存储器控制器仲裁和排队会极大地改善库冲突频率,因为更有可能出现不产生冲突的事务处理,而不是那些导致库冲突的事务处理。
然而,增加存储器队列深度未必增加不同存储器技术之间的相对有效数据速率。例如,即使增加存储器控制队列深度,XDR的有效数据速率也比 GDDR3高20%。存在这种增量主要是因为XDR具有更高的库数量以及更低的tRC值。一般而言,更短的tRC间隔、更多的库数量以及更大的控制器队列能产生更高的有效带宽。
公司历史:
公司成立于95年,一直专于SST、ISSI、PCT、GLS、EXAR以及SDRAM~SAMSUNG、HYNIX产品的推广及应用,致力于向通讯、工控以及电子消费类等领域提供技术支持及产品零件供应。十多年以来,宝星微公司对产品质量的控制始终保持一贯严谨的作风,在业内积累起较高的信誉。出售的全新原装和测试好的芯片,均为优质良品.不保上机。如有质量问题,货到三天内(以签收为准)可以退换.如剪脚、上锡、客户操作失误或其它人为原因造成的损坏,不予退换,签收后三天内未提出产品质量问题的,视为认可,不再接受退换要求。
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