功率MOSFET N沟道 500W VHF 双管推挽式

晶体管类型:                             RF MOSFET 
电压, Vds :                        125V 
电流, Id 连续:                          18A 
功耗, Pd:                                 500W 
工作频率范围:                          400MHz 到 520MHz 
封装类型:                                 SOT-262A1 
针脚数:                                    5 
SVHC(高度关注物质):                No SVHC (19-Dec-2011) 
功率, Pd:                                  500W 
功耗:                                       500W 
在电阻RDS（上）:                    200mohm 
存储温度, :                         -65°C 
存储温度, :                         150°C 
封装类型:                                  SOT-262A1 
封装类型:                                  SOT-262A1 
晶体管极性:                              ñ频道 
功耗:                                  500W 
漏极电流, Id 值:                   18A 
电压 @ Rds测量:                        10V 
电压 Vgs @ Rds on 测量:             10V 
电压, Vds:                                  125V 
电压, Vgs :                           20V 
结温, Tj :                             200°C 
阈值电压, Vgs th :                2V 
阈值电压, Vgs th :                4.5V

产品应用于微波直效站、信号发射、光纤天线接收、电台、电力、通信系统，数据传输等设备。主要产品有:MOTOROLA、FUIISTU、PHILIPS、ERICSSON、Infineon射频大小功率管，功效模块，(800MHZ、900MHZ、1900MHZ、2.5G)、隔离器和环型器、混频器、耦合器、、衰减器、负载电阻、光纤接受器

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