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企业名:深圳市鑫达通电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 83218003
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E系列功率MOSFET产品概述VDS(五)在TJ马克斯。RDS ( ON)。在25℃ ( )Qg。 ( NC )Qgs( NC )Qgd( NC )CON组fi gurationVGS= 10 V861426单身D特点6500.18D2PAK ( TO-263 )•无卤符合IEC 61249-2-21德网络nition•低图-的品质因数( FOM )RonX Qg•低输入电容(C国际空间站)•降低开关和传导损耗•超低栅极电荷(Qg)•额定雪崩能量( UIS)•符合RoHS指令2002/95 / EC应用G克eSSN沟道MOSFET服务器和电信电源开关模式电源( SMPS )功率因数校正电源供应器( PFC )灯光- 高强度放电( HID )- 荧光灯镇流器照明=工业- 焊接- 感应加热- 电机驱动器- 电池充电器- 可再生能源- 太阳能(光伏逆变器)••••订购信息包铅( Pb),且无卤D2PAK ( TO-263 )SiHB22N60E-GE3额定值(TC= 25 ℃,除非另有说明)参数漏源电压栅源电压栅源电压AC (F > 1赫兹)连续漏电流(TJ= 150 °C)漏电流脉冲a线性降额因子单脉冲雪崩能量b功率耗散工作结存储温度范围漏源电压斜率反向二极管的dv / dtd焊接建议(峰值温度)10秒笔记一。重复评价;脉冲宽度有限的结温。B 。 VDD= 50 V ,起始物为J= 25 ° C,L = 28.2 mH的,Rg= 25,IAS= 5.1 A.Ç 。 1.6毫米的情况。D.我SDID,的di / dt = 100 A / μs的,起始物为J= 25 °C.
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