N沟道950 V， 0.275Ω17.5超网5 ™功率MOSFET,在D2PAK ，TO- 220FP ，TO- 220和TO- 247封装数据表 - 生产数据特点订购代码STB20N95K5STF20N95K5STP20N95K5STW20N95K5■■■■■TABVDSSRDS （ ON）IDPW250 W31950 V< 0.330Ω17.5 A40 W250 WTAB312D2PAKTO-220FPTO- 220的全球RDS （ ON）世界范围内的FOM （品质因数）超低栅极电荷100％的雪崩测试齐纳保护图1 。内部原理图D(2,TAB)123213TO-220TO-247应用■切换应用程序描述这些器件是N沟道功率MOSFET使用超网™ 5技术开发。这一革命性的，雪崩坚固，高电压功率MOSFET技术是基于一个创新的专有垂直结构。该结果是大幅度减少导通电阻和应用超低栅极电荷而需要卓越的功率密度和高EF网络效率。

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