功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ...
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2kW至10kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关...
2015年5月20日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
irf4905价格分析：irf4905产品近一段时间销量较稳定，网上搜索、报价较多，零售价在4.00元，量大价优。irf4905基本参数：封装：TO220品牌：IR闸电荷(Qg)@Vgs：180nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss)：3400
场效应管在使用时除了注意不要使主要参数超过允许值外，对于绝缘栅型场效应管还应特别注意由于感应电压过高而造成的击穿问题。一般在使用时应注意以下几点：（1）场效应管在使用时要注意不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流不超过允许值。（2）为了
