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IGBT模块

（共找到“5”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： IGBT功率模块 IGBT驱动电路 IXYS模块 大功率IGBT 功率模块igbt 三菱IGBT

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
杭州
源头工厂
智能功率模块PM25RSB120云达电子科技
智能功率模块PM25RSB120云达电子科技
  • 型号/规格：

    PM25RSB120云达电子科技

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI（三菱）

  • 环保类别：

    普通型

云达电子科技供应 三菱 富士 IXYS 西门康 等品牌模块 MAX,AD,NXP,FSC,ST，金升阳模块，长电，STC大量原装现货供应， 智能功率模块PM25RSB120在变频调速中的应用 IGBT智能功率模块IPM(INTELLIGENT POWER MODULE) 是一种几个高速、低功耗的IGBT和选的门极驱动电...

B+B SmartWorx 485USB9F-4W
B+B SmartWorx 485USB9F-4W
  • 型号/规格：

    485USB9F-4W

  • 品牌/商标：

    B+B SmartWorx

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 通道/端口数量：

    2 Port

  • 接口类型：

    RS-485, USB

  • zui大工作温度:：

    + 70 C

  • zui小工作温度：

    0 C

485USB9F-4W 界面模块 USB TO SR 1 PT, 4 WR USB to Ser Mini Con 485USB9F-4W-LS 界面模块 USB TO RS485 MINI CONVERTER 制造商: B+B SmartWorx 产品种类: 界面模块 产品: Converter...

FGA25N120 电磁炉*IGBT管
FGA25N120 电磁炉*IGBT管

    品牌:* 型号:*童 应用范围:带阻尼 FGA25N120（电磁炉*IGBT管），电磁炉功率开关管

    原装IGBT管FGA25N120
    原装IGBT管FGA25N120

      品牌:FAIRCHILD(*童) 型号:FGA25N120 封装:TO-* *限电压:1200（V） *限电流:25（A） 用途:电磁炉控制板 沟道类型:N沟道电磁炉*

      英飞凌模块(图)
      英飞凌模块(图)

        品牌:英飞凌 型号:英飞凌IGBT 批号: 封装:*原装 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:*规模 规格尺寸:0（mm） 工作温度:0（℃） 静态功耗:0（mW）供应*原装英飞凌模块 杭州晶洋电子有限公司-销售部位于中国杭州市大关路276号，杭州晶洋电子有限公司-销售部是一家电子...

        IGBT模块行业资讯

        • Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器[2024-01-02]

          深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可...

        • Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2024-01-02]

          许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...

        • 全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2023-12-25]

          许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...

        • Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器[2023-12-14]

          适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器　　深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) M...

        • 1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4[2023-10-13]

          PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。　　特征描述　　提高工作结温 Tvj op　　高直流电压稳定性　　高短路能力，自限制短路电流　　低开关损耗...

        什么是IGBT模块?

        • 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

        • 目录

          IGBT模块

        IGBT模块技术资料

        • IGBT模块上的续流二极管（续流二极管作用）[2022-12-23]

          IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？　　当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。　　我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。　　电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。　　但变频器实际是要驱动电机的，接在电...

        • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

          IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...

        • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

          如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...

        • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

          由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动

        • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

          Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

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