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IGBT模块

(共找到“1”条查询结果)
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宣城
源头工厂
  • 型号/规格:

    FF300R12KE4P

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 全新原装:

    IGBT模块

FF400R12KT3P_E FF300R12KT3P_E FF200R12KE4P FF300R12KE4P FF450R12KE4P FF600R12KE4P FF200R12KT3_E FF300R12KT3_E FF400R12KT3_E FF200R12KE3_E 福建波光科技有限公司代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动网上供应商,是功率半导体行业企业之一...

IGBT模块行业资讯

  • Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器[2024-01-02]

    深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...

  • Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2024-01-02]

    许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...

  • 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2023-12-25]

    许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...

  • Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器[2023-12-14]

    适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器  深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) M...

  • 1200 V 900 A 双 IGBT模块--FF900R12IE4[2023-10-13]

    PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块,采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。  特征描述  提高工作结温 Tvj op  高直流电压稳定性  高短路能力,自限制短路电流  低开关损耗...

什么是IGBT模块?

  •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
  • IGBT模块

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块上的续流二极管(续流二极管作用)[2022-12-23]

    IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢?  当 PWM 波输出的时候,它是维持电机内的电流不断用的。  我在说明变频器逆变原理的时候,用的一个电阻做负载。  电阻做负载,它上面的电流随着电压有通断而通断,上图所示的原理没有问题。  但变频器实际是要驱动电机的,接在电...

  • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

    IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...

  • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

    如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...

  • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

    由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动

  • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

    Littelfuse公司是电路保护领域的企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

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