您好,欢迎来到捷配电子市场网 登录 | 免费注册
您现在的位置:首页 > 元器件(最新) > 半导体存储器 >

双集型RAM

(共找到“13”条查询结果)
所在地区
广东
浙江
新疆
河北
内蒙古
山西
吉林
黑龙江
江苏
辽宁
安徽
福建
江西
山东
河南
湖北
湖南
广西
海南
贵州
云南
西藏
四川
青海
陕西
甘肃
宁夏
台湾
澳门
香港
源头工厂
  • 型号:

    MC1413BDR2G

  • 批次:

    05+

  • 品牌:

    ON

  • 封装:

    16-SOIC\t

    型号 HY3810B 品牌 HOOYI 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 SB肖特基势垒栅 品牌HY 型号HY3906B 种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式...

    • 品牌:

      ST

    • 批号:

      2017+

    • 封装:

      LQFP64

    • 类型:

      MCU 储存器

    • 包装:

      150

    • 封装:

      BGA

    • 电压:

      1

    • 电流:

      1

    • 5.5 V:

      3 V

    • 2 Driver:

      2 Receiver

    • Transceiver:

      250 kb/s

    • - 40 C:

      + 85 C

    • 3330:

      美国TSI

    • 测量原则:

      120°光散射和滤膜采样

    • 浓度限制:

      最高3,000个/ cm3 (3,000,000个/L)

    • 质量浓度:

      0.001-275,000 mg/m3

    • 型号:

      DTA143XKAT146

    • 品牌:

      ROHM

    • 年份:

      15+

    • 封装:

      SOT23-3

    • 型号:

      S3C44B0X01L-ED80

    • 厂家:

      SAMSUNG

    • 封装:

      TQFP-160

    • 用途:

      医疗仪器

    • 类型:

      三星ARM

    • 品牌:

      NEC

    • 内存:

      256K

    • 工作电压:

      4.5 〜5.5

    • 封装:

      SOP28

      制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频MOSFET晶体管 RoHS: 符合RoHS 详细信息 商标: STMicroelectronics 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 频率: 1 GHz 增益: 14.9 dB at 870 MHz 输出功率: 35 W Vds-漏源极...

        MAX232CPE 参数参考 电源电压(VCC)...............................................-0.3V+6V V(注1)..................................................(的VCC-为0.3V)+14 V(注1)...........................

          NKG晶振产品是北京卓尔力欣公司专业代理产品之一,北京卓尔力欣公司对于所有销售出去的产品提供安装、调试、培训及其他服务工作。 NKG晶振产品详细; NKG贴片/时钟晶振SCO36B4.0000NTS,4.0MHz,±50ppm,3.3V,7x5 ...

          电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

          在采购双集型RAM进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

          免责声明:以上所展示的双集型RAM信息由会员自行提供,双集型RAM内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。捷配网不承担任何责任。

          友情提醒:为规避购买双集型RAM产品风险,建议您在购买双集型RAM相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。