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场效应管MOSFET

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湘潭
源头工厂
  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 型号/规格:

    300A1200V、400A1200V

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 用途:

    CHOP/斩波、限幅

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

斩波器主功率(开关)元件,有电流300A、400A,电压600V、1200V、1700V 等多种规格。电压、电流不同价格不一,请来电咨询、洽谈,量大价格可以优惠。*产品质量、价格优惠!欢迎来电洽...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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