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场效应管MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型

高雄市

源头工厂

TK10A60D TOSHIBA MOSFET

型号/规格：
TK10A60D
品牌/商标：
TOSHIBA（东芝）
封装形式：
TO-220SIS
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
直插式
包装方式：
管裝/盒裝
功率特征：
大功率

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS VII) &#8226; Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.58 Ω (typ.) &#8226; High for...

台灣淞茂電子貿易有限公司
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场效应管MOSFET技术资料

场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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