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结型场效应管

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  • 型号/规格:

    77E640

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT669

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

77E640 汽车电脑板N沟道MOS场效应管。 深圳创鑫兴电子科技郑重承诺:只做原装! 汽车半导体按种类可分为功能芯片MCU(MicrocontrollerUnit)、功率半导体(IGBT、MOSFET 等)、传感器...

  • 型号/规格:

    NCE65T2K4K

  • 品牌/商标:

    NCE新洁能

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

深圳市世纪成达电子科技有限公司主要代理,先科...

  • 型号/规格:

    P2003BDG NIKO 252 SMD/MOS N场 25V 32A 0.02

  • 品牌/商标:

    NIKO

  • 封装形式:

    SOT-252

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    2500/盘

  • 功率特征:

    小功率

<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您! 全新!价格优惠!现货供应! ...

  • 型号/规格:

    FSA04N60A

  • 品牌/商标:

    IPS

  • 封装形式:

    TO220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

IPS功率半導體技術和產品的提供者.先進的中高壓功率 MOSFET.主要應用於功率管理領域.目標市場為消費電子、汽車電子、家用電器和信息技術等.華南獨家代理.IPS擁有25個美國專利,由FSC,I...

  • 型号/规格:

    BC856B

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 数量:

    12500

制造商: Taiwan Semiconductor 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 详细信息 封装 / 箱体: SOT-23-3 商标: Taiwan Semiconductor 产品类型: BJTs - Bipolar Transisto...

  • 型号/规格:

    FDV302P

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(仙童)

  • 封装形式:

    23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 丝印:

    302

个MOS管问题分类:如何进行MOS管p/n型的划分? 从MOS管结构示意图我们可以看出,p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参...

  • 型号/规格:

    IRFS230, IRFS231, IRFS232, IRFS233, IRFS23N15D, IRFS23N20D, IRFS23N20DTRL

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    金属封装

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

IRFS230 IRFS231 IRFS232 IRFS233 IRFS23N15D IRFS23N20D IRFS23N20DTRL IRFS23N20DTRR IRFS240 IRFS240A IRFS240B IRFS241 IRFS242 IRFS243 IRFS244A IRFS244B IRFS250 IRFS250A IRF...

  • 型号/规格:

    CS1N60A1H

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 封装形式:

    TO-92

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

1产品概述:硅N沟道增强VDMOSFETs,CS1N60A1H,获得通过自对准平面技术,减少传导损耗,提高开关性能和增强雪崩能量。可用于各种电源的晶体管系统的小型化和高效率的开关电路。产品封...

  • 型号/规格:

    DT955-7

  • 品牌/商标:

    DIODES/美台

  • 封装形式:

    SOT-223-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

DT955-7,DT955-7产品属性介绍:产品型号 DT955-7类别 分立半导体产品晶体管 双极(BJT)单双极晶体管制造商Diodes Incorporated系列 -包装 卷带(TR)晶体管类型-不同 Ib、Ic 时 Vce...

  • 型号/规格:

    STD2NK100Z

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-252-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

上海意淼电子科技有限公司,代理经销世界众多品牌IC:美国ADI、爱特梅尔(Atmel)、 TI(BB) 、alterA、 美信Maxim(Dallas)、安森美(ON)、 恩智浦NXP(Philips)、仙童(Fairchild)、 三...

  • 型号/规格:

    AON7422G

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    DFN8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 1:

    4.2

  • 10:

    3.6

AON7422G 场效应管(MOSFET) 型号: AON7422G 品牌: AOS 封装: DFN8 AON7422G 场效应管(MOSFET) 型号: AON7422G 品牌: AOS 封装: DFN8 AON7422G 场效应管(MOSFET) 型号: AON7422...

  • 型号/规格:

    1MBI400S-120

  • 品牌/商标:

    FUJITSU(富士通)

  • 封装形式:

    模块

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    中功率

产品信息(PRODUCT INFOMATION): 品牌(BRAND): 富士(FUJI) 规格(STANDARD):400A/1200V/IGBT/1U ,详见pdf资料 货品状况:全新 (100% NEW) 质保(WARRANTY):45天(45 DAYS) 批号(D/...

  • 型号/规格:

    BSS131

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号:

    BSS131

  • 厂家:

    ON

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET...

  • 型号/规格:

    UT3401G

  • 品牌/商标:

    UTC

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

<a rel="nofollow" title="P沟道 30V 4.2A" target="_blank" class="blue ellipsis product-name-link have-smt" href="https://it...

  • 型号/规格:

    STP10NK80Z

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO2

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

深圳市森桂电子商行是一家专门经营半导体电子元件公司,具有丰富的行业经验和雄厚的技术力量,能为不同的客户提供配套服务,我司长期备有大量现货,.产品主要应用于开关电源(如:充电器...

  • 型号/规格:

    IRF9Z34NPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    超大功率

IRF9Z34NPBF 品牌IR 封装TO-220 FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide FET特点 Standard 漏极至源极电压(VDSS) 55V 电流-连续漏极(编号)@ 25&#176;C 19A Rds()@ ID,VGS 1...

  • 型号/规格:

    PL4009

  • 品牌/商标:

    pulan

  • 封装形式:

    23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

PL4009采用先进的沟槽技术,提供优良的Ros(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。标准产品PL .4009不含铅(符合ROHS &am...

  • 型号/规格:

    IRC640

  • 品牌/商标:

    杰盛微

  • 封装形式:

    TO-220-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

IRC640公司介绍:深圳市杰興電子有限公司 专营二.三级管等电子,诚信合作. 欢迎大众惠顾! 强势推出原装大功率三极管打造市场 本公司zui新到货大功率功放音响配对管:2SA1939-2SC5196 2SA...

  • 型号/规格:

    ESD0402-0603

  • 品牌/商标:

    YF

  • 封装形式:

    0603

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

静电阻抗器的意思是“静电释放”的意思,它是英文:Electro-Static discharge 的缩写,即&quot;静电放电&quot;的意思.ESD静电阻抗器是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危...

  • 型号/规格:

    SI2301

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

供应SI2301 A1SHB SOT-23 2.8A/20V 场效应管 制造商: Micro Commercial Components (MCC) 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 通道...

结型场效应管行业资讯

  • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

    结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

  • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

    结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

什么是结型场效应管?

  •   在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区),就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。
  • 结型场效应管

结型场效应管技术资料

  • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

    为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。  u下面通过栅-源电压uc和...

  • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

    1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...

  • 结型场效应管(JFET)的主要参数[2010-06-10]

    (1). 夹断电压VP  当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。  (2). 饱和漏极电流IDSS  在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。  (3). 直流输入电阻RGS  它是在漏-...

  • CS系列N沟道结型场效应管[2008-04-23]

    CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。  CS系列结型场效应管主要特性参数

  • 3DJ系列N沟道结型场效应管[2008-04-23]

    3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。  3DJ列场效应管主要特性参数

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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