品牌：Panasonic/松下型号：2M167B-M11、2M210种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：MW/微波封装外形：CHIP/小型片状材料：ALGaAS铝镓砷开启电压：0（V） 夹断电压：0（V） 跨导：0（μS） *间电容：0（pF） 低频噪声系数：0（dB） 漏*电流：0（mA） 耗散功率：0（mW） 济南康来微波设备有限公...
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Panasonic/松下
2M167B-M11、2M210
结型(JFET)
N沟道
增强型
MW/微波
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
济南康来微波设备有限公司大量供应工业微波设波配件：松下系列磁控管（2M167B-M11 、2M210M1…..）各种型号工业微波变压器、高压硅堆（二*管）、高压电容、微波设备*输...
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CSP75N80M
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-INM/*组件
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
供应CSP75N80M美斯捷电子商行成立于2000年，我公司是电子元器件厂家指定代理商和电子元件批发商，我们以产品的品种多,质量好,价格低,电子元器件性配套完善闻名于*，公司追求*和周到的...
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Truesemi
TSP8N60
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MIX/混频
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
供应场效应管TSP8N60我司是代理韩国信安TRU*EMI品牌的全系列MOS管，现有大量现货：TSF2N60 TSF5N60 TSD2N60 TSD5N50 TSF8N60 TSF10N60 TSF3N80 TSA10N80 TSA9N90 TSA20N50 TSP5N60 TS...
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结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...
（1）. 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 （2）. 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。 （3）. 直流输入电阻RGS 它是在漏-...
CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。 CS系列结型场效应管主要特性参数
3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。 3DJ列场效应管主要特性参数
