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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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MOS场效应管：IRF830PBF
MOS场效应管：IRF830PBF
  • 型号/规格：

    IRF830PBF

  • 品牌/商标：

    IR/VISHAY

*原装现货，*十。

APM1110
APM1110
  • 品牌/商标：

    ANPEC/茂达

  • 型号/规格：

    APM1110

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

APM1110NUC(原装)Features100V/10A,RDS(ON)= 175mW (max.) @ VGS=10VRDS(ON)= 235mW (max.) @ VGS=4.5V· Super HighDense CellDesign· Reliable and R...

2SC3638等大功率晶体管(图)
2SC3638等大功率晶体管(图)
  • 封装形式：

    直插型

  • 型号/规格：

    2SC3638

  • 材料：

    硅(Si)

  • 品牌/商标：

    JM

  • 应用范围：

    功率

锦美电子批量供应以下偏冷门2SC型号三*管：2SC3638 2SC3688 2SC3691 2SC3692 2SC3693 2SC3694 2SC3710 2SC3720 2SC3723 2SC3725 2SC3746 2SC3834 2SC3835 2SC3842 2SC3850 2SC3851 2S...

*童原装FQB8N60/FQB8N6TM 增强型MOS管N沟道
*童原装FQB8N60/FQB8N6TM 增强型MOS管N沟道

    品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 FQB8N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 具体数据以原装为准（V） 夹断电压 具体数据以原装为准（V） 低频跨导 具体数据以原装为准（μS） *间电容 具体数据以原装为准（pF） 低...

    汽车部件----现代功率晶体管(图)
    汽车部件----现代功率晶体管(图)
    • 型号/规格：

      DF-3005

    • 散热面积：

      详询（平方米）

    • 适用车型：

      HYUNDAI

    • 结构：

      详询

    • 适用发动机型号：

      详询

    • 品牌/商标：

      现代

    • 配件编号：

      97179-2D000

    • 加工定制：

      是

    现代功率晶体管OEM *.:97179-2D000O.瑞安市达丰汽车部件有限公司是一家生产与开发电机，电子、传感器、开关、全车线速等汽车*部件企业。公司经过多年的艰苦奋斗，不断地引进*设备和高...

    BC846B 原装* NXP品牌 ！现货库存*！
    BC846B 原装* NXP品牌 ！现货库存*！
    • 品牌/商标：

      NXP/恩智浦

    • 型号/规格：

      BC846B

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      DC/直流

    • 封装外形：

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料：

      SENSEFET电流敏感

    工厂库存*，价格*作参考，要货还需重新确定我公司專業提供緊缺電子元件，主要經營的品牌有：日本品牌：TOSHIBA，SONY,AKM，OKI，MURATA，SEIKO，SHARP，SANYO，TOKEN，NEC，JRC，ROHM...

    批发*原装FGA25N120ANTD
    批发*原装FGA25N120ANTD
    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 集电*允许电流ICM：

      25

    • 封装形式：

      直插型

    • 型号/规格：

      FGA25N120ANTD

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 截止频率fT：

      11

    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/*童

    • 用途：

      A/宽频带放大

    型号：FGA25N120ANTD FGA25N120封装：TO-*厂家：FAIRCHILD/*童批号：12+ROHS参数：25A 12000V属性：**原装 备注：为方便店铺管理，本店*商品均为统一标价，具体价格咨询为准，谢谢！

    • 张安坚
    • 供应商等级： 免费会员
    • 企业类型：经销商
    • 地区:广东深圳

      • 电话：0755-82736636

    现货MOS管 LN2312
    现货MOS管 LN2312
    • 漏*电流：

      -

    • 材料：

      GE-N-FET锗N沟道

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 型号/规格：

      LN2312

    • 封装外形：

      SMD(SO)/表面封装

    • 品牌/商标：

      LRC/乐山无线

    • 用途：

      AM/调幅

    • 沟道类型：

      N沟道

    原装，**，无铅*，可长期供货。我们的理念：做*诚信的供应商。***（具体价格按当天现货行情，请与我司确认之后下订单）***深圳市航腾科技有限公司是从事电子元器件配套服务的供应商。...

    FFA30U60DN
    FFA30U60DN
    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格：

      FFA30U60DN

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      MOS-INM/*组件

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      M*金属半导体

    深圳市泰兴电子是一家对汽车电子、电动车控制器、电源、电磁炉控制器、充电器、灯饰等电子元件的配套商。经营FAIRCHILD（*童）、ST（意、法半导体）、ON（安森美半导体）、EIC、NXP（...

    • 陈桂滨
    • 供应商等级： 免费会员
    • 企业类型：经销商
    • 地区:广东深圳

      • 电话：0755-82771351

    GMOS 2300
    GMOS 2300
    • 品牌/商标：

      GMOS(台产)

    • 型号/规格：

      2300

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    我公司现代理以下GMOS管,产品产地为台湾,产品为08年,原装无铅产品,欢迎有需要的各阶人士来电洽谈!型号封装单价(*税)备注品名2300SOT-23细谈3K一盘场效应管2301SOT-233K一盘场效应管23...

    MOSFET
    MOSFET
    • 品牌/商标：

      美国IR

    • 型号/规格：

      IRFP460

    • 介质材料：

      复合介质

    • 应用范围：

      滤波

    • 外形：

      圆柱形

    • 调节方式：

      固定

    • 等效串联电阻(*R)：

      /（mΩ）

    • 标称容量：

      /（uF）

    北京飞行联发电子元件有限公司为北京七星飞行电子有限公司的子公司，系前*企业的*第七九八厂经重资剥离、优化组合转制后的新型经济实体。2000年新公司获得北京高新技术企业证书的殊荣...

    P沟道MOS管场效应管管
    P沟道MOS管场效应管管

      品牌:美国*童 型号:FDW2508P 封装:TSSOP-8 *限电压:-12（V） *限电流:6（A） 供应P沟道MOS管场效应管管 ,美国*童 型号:FDW2508P 封装:TSSOP-8

      贴片场效应管1N60封装TO-252
      贴片场效应管1N60封装TO-252
      • 品牌/商标：

        FAIRCHILD/*童

      • 型号/规格：

        1N60

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        SW-REG/开关电源

      • 封装外形：

        SMD(SO)/表面封装

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      贴片1N60场效应管TO-252封装电性参数TO-252封装尺寸及安装尺寸图金本公司生产二*管,*产品均*合欧盟*要求,*,有SGS,保质保量,不偷工,不减料.把产品做到尽善尽美是我们的目标.信我们坚守...

      MOS场效应管芯片、晶圆、裸片IRF540
      MOS场效应管芯片、晶圆、裸片IRF540
      • 品牌/商标：

        *

      • 型号/规格：

        IRF540

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        耗尽型

      • 封装外形：

        WAFER/裸芯片

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      我司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF540，质量*。该芯片在采用适当的封装工艺以后，可以形成多种封装形式的VDMOS 场效应晶体管，主要用于汽车安定器、UPS 电源。 芯片型号ModelIRF540芯...

      现货三相桥式IGBT F4-100R12KS4 模块
      现货三相桥式IGBT F4-100R12KS4 模块
      • 品牌：

        SIE德国西门子AG

      • 型号：

        F4-100R12KS4

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        MOS-FBM/全桥组件

      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 材料：

        IGBT*缘栅比*

      *原装现货供应 F4-50R12KS4 。F100R12KS4 。F4-150R12KS4 三相桥式IGBT 模块。欢迎来电订购.

      AO3410 原装现货
      AO3410 原装现货
      • 品牌/商标：

        AOS/美国万代

      • 型号/规格：

        AO3410

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        MOS-FBM/全桥组件

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      • 开启电压：

        000（V）

      新伟利达电子有限公司总部设在香港（香港华永利电子），在深圳设有分公司。公司至成立以来，一直秉承“用户、信誉、质量”作为公司发展的宗旨，愿为广大客...

      IRF740/730/840/830
      IRF740/730/840/830
      • 品牌/商标：

        IR/国际整流器

      • 型号/规格：

        IRF740

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        DC/直流

      • 封装外形：

        CHIP/小型片状

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      深圳市诚实芯科技 IR系列IRF530PBFIRF540NPBFIRF640NIRF730IRF740IRF830IRF840IRF1010EPBFIRF1404IRF2807IRF3205IRF3710IRF4905IRF5305IRFZ24NIRFZ34NIRFZ44NIRFZ46NIRFZ48NIRF9530IR...

      • 李年春
      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东深圳

        • 电话：755-135284403

      MEM2302M3G微盟授权代理商，只做原装，价格优势。N沟MOS管
      MEM2302M3G微盟授权代理商，只做原装，价格优势。N沟MOS管
      • 类型：

        其他IC

      • 品牌/商标：

        南京微盟ME

      • 型号/规格：

        MEM2302M3G

      • 针脚数：

        3

      • 封装：

        SOT-23/SOT-23-3

      • 批号：

        2012+

      • 是否提供加工定制：

        是

      • 沟道类型：

        其他

      深圳市恒佳兴电子有限公司(原深圳市宏兴电子商行)成立于2001年8月１日，南京微盟电子有限公司授权代理商，是一家经销和配套的综合性公司，主要经营国内、外知名品牌稳压、升压、检测...

      SMK-0760场效应管
      SMK-0760场效应管
      • 型号/规格：

        SMK-0760

      • 品牌/商标：

        AUK

      • 封装形式：

        TO-220

      • *类别：

        无铅*型

      • 安装方式：

        直插式

      • 包装方式：

        单件包装

      我们公司为AUK大陆代理，产品*为韩国原装*，可*替代ST。Fairchild等国际品牌主流型号，质量*，是您*..

      • 叁贰电子有限公司
      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东深圳

        • 电话：0755-27597772

      MOS管8N60
      MOS管8N60
      • 型号/规格：

        8N60

      • 品牌/商标：

        国产

      • 封装形式：

        TO-220

      • *类别：

        无铅*型

      • 安装方式：

        直插式

      • 包装方式：

        散装

      • 功率特征：

        大功率

      主要应用于各类电源，电磁炉,灯饰,充电器；各类消费类电器控制板；照明电器及摩托车，汽车电子，工业仪表，测试仪器等．

      • 深圳富茁电子有限公司
      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：生产企业
      • 地区:广东深圳

        • 电话：0755-89629956

        手机：13715298079

      MOSFET行业资讯

      • 英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS 7[2024-04-16]

        英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...

      • 80V 对称双 N 沟道 MOSFET，尺寸为 3 x 3mm[2024-04-03]

        New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。　　Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct　　据《纽约客》报道，该器件名为 SiZF4800LDT，“为设计人员提供了用于...

      • 意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效[2024-04-01]

        STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。　　　这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...

      • Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度[2024-03-21]

        英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...

      • Infineon - 英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET， 以更高的功率密度和效率树立行业新标准[2024-03-21]

        英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

      • 目录

        MOSFET

      MOSFET技术资料

      • 功率 MOSFET 特性双脉冲测试[2024-03-07]

        IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。　　双脉冲有什么用？　　图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图，图 2 中显示了测量数据。　　图 1. 基本双脉冲设置，包括两个...

      • MOSFET工作原理和特点[2024-03-04]

        MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点： 工作原理：结构：MOSFET通常由栅极（Gate）、漏极（Source）...

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        之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作，我们需要更详细地检查其频率响应。　　在本文中，我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...

      • MOSFET共源放大器简介[2024-02-22]

        放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。　　在本文中，我们将讨论共源（CS）放大器，它使用栅极作为输入端，漏极作为输出。就交流信...

      • 什么是耗尽型 MOSFET？[2024-01-18]

        金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件，涵盖信号放大到数字应用，例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。　　耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供　　pn结二极管是最基本的...

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