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MOSFET

（共找到“29”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS MOSFET管 P沟道MOS管 TL431 东芝MOS管 东芝电子管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
杭州
源头工厂
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杭州代理——温州大华晶体管继电器DHC1 DHC2 DHC2-H
杭州代理——温州大华晶体管继电器DHC1 DHC2 DHC2-H
  • 应用范围：

    时间

  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    DHC1

  • 产品系列：

    DHC1

  • 触点负载：

    *率

  • 触点切换电流：

    /

  • 触点切换电压：

    /

  • 触点形式：

    一开三闭

*小型面板尺寸 DIN 36×36mm(DHC1) 合的标准:Q/WDH 01-2003、GB 14048.5-2001、IEC60947-5-1：1997 电 源 AC220V （50Hz） 触点电寿命 ≥1×105...

场效应管IRF830 *童*原装
场效应管IRF830 *童*原装
  • 型号/规格：

    IRF830

  • 品牌/商标：

    *童

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    *率

公司生产大功功率三*管、*声波功率管、高反压三*管、功率三*管、行管、电视机用三*管、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。 *产品：2SC3998（塑封：...

我公司长期提供STP75NF75，有意向联系我，价格详谈
我公司长期提供STP75NF75，有意向联系我，价格详谈
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

场效应管规格：品牌ST型号STP75NF75FP种类*缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途电动车充电电路封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料GE-P-FET锗P沟道 原装，现货！ 品牌:ST 型号:STP...

IC *原装AOD409
IC *原装AOD409
  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格：

    AOD409

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    AOS/美国万代

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

杭州*鹄电子科技有限公司--------的电子元器件供应商，只做*原装长期为各广大终端工厂提供电子元器件配套服务。严格的质量把关，*质量100%*本公司供应的产品较多，无法一一上传，如有...

LWH300G603/LS产电IGBT模块/原装*LWH300G603
LWH300G603/LS产电IGBT模块/原装*LWH300G603
  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 封装形式：

    功率型

  • 集电*允许电流ICM：

    300

  • 型号/规格：

    LWH300G603

  • 封装外形：

    SP/*外形

  • 截止频率fT：

    20KHZ

  • 品牌/商标：

    LS/产电

产品名称：LWH300G603--韩国LS IGBT模块价格：电谈/面谈 该模块是韩国LS产电(原LG电子)针对工业应用推出的2单元LS IGBT模块。其相对竞争优势主要体现在两方面：一、质高：模块内嵌静...

优势IR原装MOS管 IRF730 IRF740 IRF9530 IRF9540等等
优势IR原装MOS管 IRF730 IRF740 IRF9530 IRF9540等等
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF730

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

供应IR 原装*MOS管。IRF740IRF730IRF9530IRF9540IRF640IRF540等等IR型号MOS管长期备有大量库存，欢迎来电咨询！

代理现货士兰微MOS SVF12N60
代理现货士兰微MOS SVF12N60
  • 品牌/商标：

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格：

    SVF12N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

：余开权 手机：A、600V N沟道增强型场效应管描述SVF12N60T/F/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计...

TY8205A
TY8205A
  • 品牌/商标：

    ALE美国

  • 型号/规格：

    TY8205

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    DC/直流

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

20V, 6A, RDS(on) (Max 25 mΩ) @ VGS=4.5VRDS(on) (Max 37 mΩ) @ VGS=2.5V■ Performance and Cost Competitive■ Advanced Trench Technology■ Low RD...

FHP7N80 FHF7N80 FEIHONG场效应管
FHP7N80 FHF7N80 FEIHONG场效应管
  • 品牌/商标：

    FEIHONG

  • 型号/规格：

    FHP7N80

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

所报价格可能会随市场有所波动，具体请来电面议，祝合作愉快！目前杭州利普电子科技有限公司涉及配套领域：各种电源充电器及控制器、仪器仪表、*性照明类、汽车电子、音响设备、通讯...

代理美格纳场效应管MDP9N60
代理美格纳场效应管MDP9N60
  • 型号/规格：

    MDP9N60

  • 品牌/商标：

    Magnachip

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    *率

MDP9N60 TO-220F封装 VDS：600V ID:9A RDS(ON):1.0Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护 长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场...

ST公司、原装MOS管、STP75NF75
ST公司、原装MOS管、STP75NF75
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

ST公司原装MOS管，此型号MOS管有多个封装地，目前我司分销*封装地的产品，产品以条管包装，50PCS一条，此型号具体参数为：电压=75V、电流=80A、RDS〈0.011Ω，封装为TO-...

ROHM US6M2 TR 贴片 MOS管
ROHM US6M2 TR 贴片 MOS管

    品牌/商标 ROHM 型号/规格 US6M2 TR 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/*组件

    杭州*大功率直插场效应管IRFP460A
    杭州*大功率直插场效应管IRFP460A
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRFP460

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      LMP-C/阻*变换

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      GaAS-FET砷化镓

    杭州供应*大功率直插场效应管IRFP460A TO-247 【杭州丰登电子有限公司】 销售可控硅，二*管，三*管，肖特基，场效应管，达林顿管，三端稳压，集成IC等各种电子元器件。网络*，批发，...

    SSF6010 （代替 IRFZ44 ）
    SSF6010 （代替 IRFZ44 ）
    • 品牌/商标：

      矽利康

    • 型号/规格：

      SSF6010 IRFZ44

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    MOSFETPart NumberPackageConfigurationVDSS min(V)VGS(V)VGS(th) min(V)RDS(on) maxQg t* @Vgs=10V(nC)Qg t* @Vgs=4.5V(nC)Qgs(nC)Qgd(nC)ID(A)Pd max(W)Rg t*(Ω)at V...

    MUR120 场效应管 晶体管
    MUR120 场效应管 晶体管
    • 品牌：

      CEN美国*半导体

    • 型号：

      MUR120A

    品牌/商标 CEN美国*半导体 型号/规格 MUR120A 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 销售IR、APT、HAR、MOT、ST、FUJ、TOS、GI、NEC、FSC、HIT等厂家的集成芯片、二三*管、发光管、光敏管、大小功率场效应管IGBT、贴片元件及其它电子元件。 信誉是我们经营的宗旨。配套、品种*、货源稳定，良好的信誉，使我们...

    原装MOS管IRFP150N
    原装MOS管IRFP150N

      品牌:IR 型号:IRFP150N 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:100（V） 低频跨导:1（μS） *间电容:145（pF）供原装*IRFP150N,本公司真正优势库存产品，价优货足

      场效应管-IRFP264 38A 280W
      场效应管-IRFP264 38A 280W
      • 封装外形：

        P-DIT/塑料双列直插

      • 型号/规格：

        IRFP264

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      • 品牌/商标：

        IR/国际整流器

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 导电方式：

        增强型

      杭州富阳奥星电子有限公司生产三*管（大功率）、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。三*管：2SC3320 2SC5200 2SC3998 2S*237 2SC2922 3DD5686 3DF50...

      原装FSC TO-252贴片 场效应管 FQD13N10L
      原装FSC TO-252贴片 场效应管 FQD13N10L
      • 品牌/商标：

        FRE*CALE/飞思卡尔

      • 型号/规格：

        FQD13N10L

      • 封装：

        TO-252

      • 类型：

        其他IC

      • 产品类型：

        其他

      • 沟道类型：

        其他

      杭州鼎玛电子经营：集成电路IC（主营贴片SMD）,场效应管MOSFET,光电耦合器,可控硅,二三*管等电子元器件配套。（~~可开具17%增值税*！~~）主营品牌:TI,IR,FSC,PHI,ST,ON,JRC,TOS,NS,HT...

      原装现货SVF10N65F TO-220F塑封封装
      原装现货SVF10N65F TO-220F塑封封装
      • 品牌/商标：

        SILAN

      • 型号/规格：

        SVF10N65F

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        SW-REG/开关电源

      • 封装外形：

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      原装现货SVF10N65F,TO-220F塑封该产品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动 *说明： 1、本公司所出售商品*原装*品，包客诉。 2、公司可开具17%增值税**，税...

      ST*原装 STPS20S100* TO-220场效应管
      ST*原装 STPS20S100* TO-220场效应管
      • 品牌/商标：

        ST/意法

      • 型号/规格：

        STPS20S100*

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        CHOP/斩波,限幅

      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 材料：

        GE-N-FET锗N沟道

      杭州鼎科电子有限公司（原杭州大顺电子）是目前华东地区较大规模的电子元器件供应商之一，我们*秉承着：“信誉为本，质量，顾客至上”的经营理念，不断地...

      MOSFET行业资讯

      • 英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS 7[2024-04-16]

        英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...

      • 80V 对称双 N 沟道 MOSFET，尺寸为 3 x 3mm[2024-04-03]

        New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。　　Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct　　据《纽约客》报道，该器件名为 SiZF4800LDT，“为设计人员提供了用于...

      • 意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效[2024-04-01]

        STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。　　　这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...

      • Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度[2024-03-21]

        英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...

      • Infineon - 英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET， 以更高的功率密度和效率树立行业新标准[2024-03-21]

        英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

      • 目录

        MOSFET

      MOSFET技术资料

      • 功率 MOSFET 特性双脉冲测试[2024-03-07]

        IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。　　双脉冲有什么用？　　图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图，图 2 中显示了测量数据。　　图 1. 基本双脉冲设置，包括两个...

      • MOSFET工作原理和特点[2024-03-04]

        MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点： 工作原理：结构：MOSFET通常由栅极（Gate）、漏极（Source）...

      • MOSFET 共源放大器的频率响应[2024-02-29]

        之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作，我们需要更详细地检查其频率响应。　　在本文中，我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...

      • MOSFET共源放大器简介[2024-02-22]

        放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。　　在本文中，我们将讨论共源（CS）放大器，它使用栅极作为输入端，漏极作为输出。就交流信...

      • 什么是耗尽型 MOSFET？[2024-01-18]

        金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件，涵盖信号放大到数字应用，例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。　　耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供　　pn结二极管是最基本的...

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