CHIP/小型片状
50N03
GE-N-FET锗N沟道
MOS-HBM/半桥组件
NIKOS
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
柜台现货供应 单价为批量价格 谢谢合作。交易说明: 1.本店所有宝贝全部支持（支付宝、银行转账、现金）交易！ 2.买家从收到货时起24小时内确认货款提供保质服务，超过24小时将不提供...
电话：86 0577 88224559
咨询1
维持电流180
功率型
咨询
MTC200A
硅(Si)
兴驰 兴正
振荡
MDS三相整流桥模块 SSR 固态继电器KBPC整流桥 KP可控硅 MTC可控硅模块 SQL三相整流桥 欢迎旺旺或QQ咨询 1、 桥堆，又名“整流桥”或者“整流...
手机：13868748021
时间
OMRON/欧姆龙
其他
J*1-10、11、12
其他
AC/DC24-240（V）
交流
小型
*批发：欧姆龙、图尔克、*福、奥托尼克斯、科瑞、宜科、施克等品牌接近开关、光电开关、继电器、行程开关、微动开关，温控器、安良计数器、旋转编码器、开关按钮、明纬开关电源、阳明...
电话：0577-62675279
品牌:RW 型号:7N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:M*金属半导体 开启电压:0.3（V） 夹断电压:10（V） 漏*电流:160（mA） 耗散功率:8000（mW）7N60场效应管，50支一管装，厂家直供 价格实惠 质量* 货源充足 货品多样，亲们*。如有疑问欢迎咨询，如...
电话：0577-83157261
正力
IGBT 模块， ZG, SKM
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
CHOP/斩波、限幅
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
IGBT模块，采用德国INFINEON芯片，铝线键合技术，*DBC陶瓷基板，*替代SEMIKORN EUPEC INFINEON MITSUBTION。General DescriptionZenli IGBT Power Module provides ultra low conduct...
电话：577-62766513
DF-3005
详询（平方米）
HYUNDAI
详询
详询
现代
97179-2D000
是
现代功率晶体管OEM *.:97179-2D000O.瑞安市达丰汽车部件有限公司是一家生产与开发电机，电子、传感器、开关、全车线速等汽车*部件企业。公司经过多年的艰苦奋斗，不断地引进*设备和高...
电话：0577-65137718
IR(美国国际整流器公司)
IRF3710
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CHIP/小型片状
原厂规格（V）
原厂规格（V）
温州市宏城电子是从事电子元器件配套服务的供应商。主要分销及代理：美国IR（国际整流器）、美国MICROCHIP、美国ATMEL、日本TOCOS、台湾UTC、台湾强茂、TRR、Cirrus Logic、PERICOM、...
电话：0577-88220463
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。 Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct 据《纽约客》报道，该器件名为 SiZF4800LDT，“为设计人员提供了用于...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用？ 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图，图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置，包括两个...
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点： 工作原理：结构：MOSFET通常由栅极（Gate）、漏极（Source）...
之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作，我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中，我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。 在本文中，我们将讨论共源（CS）放大器，它使用栅极作为输入端，漏极作为输出。就交流信...
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件，涵盖信号放大到数字应用，例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。 耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供 pn结二极管是最基本的...
