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MOSFET

（共找到“51”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
北京
源头工厂
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质优价廉 ON BS107ARL1G MOSFET 200V 250mA 原厂原装
质优价廉 ON BS107ARL1G MOSFET 200V 250mA 原厂原装
  • 型号/规格：

    BS107ARL1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO-92

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

安森美BS107ARL1G 场效应管 安森美BS107ARL1G场效应管相关资料： ds-漏源极击穿电压: 200V Id-连续漏极电流:250 mA Rds On-漏源导通电阻:6.4 Ohms 工作温度:+150C 场效应管：场效应晶...

【现货】富士原厂功率模块1MI100H-025
【现货】富士原厂功率模块1MI100H-025
  • 型号/规格：

    1MI100H-025

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 封装形式：

    MODULE

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    中功率

产品信息(PRODUCT INFORMATION)： 品牌(BRAND)：富士（FUJI） 原产地（Place of Origin）：日本 规格(STANDARD)：100A/250V/MOS/1U ，详见pdf资料。 货品状况：全新 (100% NEW) 质保(...

三社可控硅模块PWB200A40
三社可控硅模块PWB200A40
  • 型号/规格：

    PWB200A40

  • 品牌/商标：

    三社

  • 封装形式：

    模块

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

北京恒达功率元器件代理:电源模块,功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR...

BSS119NH6327XTSA1场效应管INFINEON
BSS119NH6327XTSA1场效应管INFINEON
  • 型号/规格：

    BSS119NH6327XTSA1

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    Reel

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    超大功率

供应BSS119NH6327XTSA1场效应管INFINEONBSS119NH6327XTSA1场效应管BSS119NH6327XTSA1场效应管BSS119NH6327XTSA1场效应管 东莞 0603B103K500NT 电容器 风华高科 2332 19826 东莞 RS-03...

ON原装MC7805CTG三端稳压器 直插TO-220
ON原装MC7805CTG三端稳压器 直插TO-220
  • 型号/规格：

    MC7805CTG

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    TO-220

型号：L7805CTG 品牌：ON 参数：5V 1A ±4% -0~125℃ 封装：TO-220 量多价格可商议！ 北京八达顺波电子技术有限公司是一家化的电子元器件供应商，具有十多年的电子元器件销售...

ZVN4424GTA SOT-223 N-MOS 电子元器件配单
ZVN4424GTA SOT-223 N-MOS 电子元器件配单
  • 型号/规格：

    ZVN4424GTA

  • 品牌/商标：

    ZETEX

  • 封装形式：

    SOT-223

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

北京懿芯雅创电子科技有限公司是一家的电子元器件供应商,以销售原装进口集成电路为主，我们的经销产品遍及美、欧、亚各国品牌，如：XILINX、ALTERA、MAX、AD、NXP、TI、ON、SILICON等...

IRFU120N
IRFU120N
  • 型号/规格：

    TO-251

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    DIP

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

专营,原装.,大量现货

美国仙童 FairChild MOS场效应管 FDH5500
美国仙童 FairChild MOS场效应管 FDH5500
  • 型号/规格：

    FDH5500

  • 品牌/商标：

    美国仙童 FairChild

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

FDH.0 0. TO-247 N沟道，适用于电机驱动、开关电源等 FDP.0 0. TO-220 N沟道，开关特性优越 FQP50N.0 0. TO-220 N沟道增强型，适于DC /DC、电池管理 FDP.0 0. TO-220 N沟道，适于电机...

  • 北京韶光科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：贸易/代理/分销
  • 地区:北京北京市

    • 电话：010-62105512-171

    手机：18500501980

MOS(场效应管) CJQ7328，全新现货CJQ7328
MOS(场效应管) CJQ7328，全新现货CJQ7328
  • 型号/规格：

    CJQ7328

  • 品牌/商标：

    CJ（江苏长电/长晶）

  • 封装形式：

    SOP-8_150mil

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

品牌：CJ（江苏长电/长晶） 厂家型号：CJQ7328 封装规格：SOP-8_150mil 商品毛重：0.193克(g) 包装方式：编带 漏源电压（Vdss）：-30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A ...

场效应管2SK2071
场效应管2SK2071
  • 型号/规格：

    2SK2071-01L

  • 品牌/商标：

    FUJI

  • 封装形式：

    TO-251

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    袋装

  • 功率特征：

    中功率

场效应管2SK2071-01L,2A/600V,用途：功率放大，日本FUJI原包装，现货。 北京萌兴电子是一家主营世界品牌电子元件的经销商，主要经营二三极管、集成电路、光耦，过流过压保护器件，各...

共赢MOS管SI2305CDS-T1-GE3
共赢MOS管SI2305CDS-T1-GE3
  • 型号/规格：

    SI2305CDS-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）8V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.8A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）1.8V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On...

FF450R12ME4 假一赔十
FF450R12ME4 假一赔十
  • 型号/规格：

    FF450R12ME4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    IGBT

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

原厂直销德国英飞凌IGBT模块,全新原装质量保证 IGBT 保管时的注意事项： 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左...

  • 北京威尚科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：贸易/代理/分销
  • 地区:北京北京市

    • 电话：010-62624632

    手机：13810309694

原装进口IR公司场效应管
原装进口IR公司场效应管
  • 型号/规格：

    10BQ040PBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    全新原装进口

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    全新原装进口

1/93-M50 100MT160PA 100MT160PB 10BQ015 10BQ015. 10BQ015PBF 10BQ015TR 10BQ030 10BQ040 10BQ040. 10BQ040PBF 10BQ040TR 10BQ060 10BQ060PBF 10BQ060TR 10BQ100 10BQ100PBF 10BQ100...

MOS管
MOS管
  • 型号/规格：

    FUD3N40TU

  • 品牌/商标：

    FSC

  • 封装形式：

    TO-251

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    单件包装

FDU3N40 批号10+ 数量60K，此货为客户订货，但因为客户的订单出现问题，所以无法白日提货，现在做库存处理*出售，有意请致电：陈

东芝原装MOS管 2SK2608
东芝原装MOS管 2SK2608
  • 型号/规格：

    2SK2608

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 封装形式：

    TO-220AB

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

东芝原装*2SK2608为我司常备库存, 长期备有大量现货, 无须订货,交货方便. 为满足工程及采购要求,本公司针对工厂客户可提供少量样品以助开发之用, 欢迎索样! : QQ: 品名: 2SK2608 *性:...

进口原装IR IRFM460 TO-254 N沟
进口原装IR IRFM460 TO-254 N沟
  • 型号/规格：

    IRFM460

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-254

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • BVDSS：

    500V

  • ID：

    19A

以下是我司的其他优势产品-IR场效应管，都为原厂，种类齐全，欢迎前来采购！ IRFM460 IRFV140 IRF5M5210 IRFF130 IRFF230 IRFM250 IRFM440 IRFY240 IRFY9130 IRF5Y1310CM IRF044 IRF0...

IGBT模块FP10R12YT3_B4
IGBT模块FP10R12YT3_B4
  • 品牌：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号：

    FP10R12YT3_B4

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-TPBM/三相桥

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

北京浩诚嘉泰科技有限公司是一家以研发、销售、系统集成项目、配套电子的企业.电子元器件代理:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块，快恢复二*管，场效应及驱动电路.品牌三菱、...

IRFZ44NPBF IR原装MOS管 IRFZ44NPBF IRFZ44N TO-220 MOS管N沟道55V 49A
IRFZ44NPBF IR原装MOS管 IRFZ44NPBF IRFZ44N TO-220 MOS管N沟道55V 49A
  • 型号/规格：

    IRFZ44NPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

厂家：IRF [International Rectifier] 描述：HEXFET-R Power MOSFET 标准包装：50 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：HEXFET® FET 型：MOSFET N 通道，金属...

IPD50N06S2-14
IPD50N06S2-14
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    IPD50N06S2-14

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

DatasheetsIPx034N06L3 GProduct PhotosTO-220-3Catalog DrawingsMOSFET TO-220(AB), TO-220-3Standard Package500CategoryDiscrete Semiconductor ProductsFamilyFETs - SingleSerie...

2014-2019年中国场效应晶体管市场动态监测及竞争战略研究
2014-2019年中国场效应晶体管市场动态监测及竞争战略研究
  • 调研方式：

    实地调研、市场重点区域监测、抽样调研与各界平台合作等

  • 市场范围：

    产品、上下游产业链、企业、技术、发展前景、区域监测等

2014-2019年中国场效应晶体管市场动态监测及竞争战略研究【联-系-人】*老师【编号】zjqx-DLH【订购】/【咨询】【交付方式】EMS/E-MAIL【格式】WORD 版＋PDF 格式+精美装订印刷版（致电咨询）【订购电邮】 【企业网址】http://www.gtdcbgw.com,http://www.bjzjqx.com目录部分 行业发展现状章 场效应晶体管简介节 场效应晶体...

MOSFET行业资讯

  • 英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS 7[2024-04-16]

    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...

  • 80V 对称双 N 沟道 MOSFET，尺寸为 3 x 3mm[2024-04-03]

    New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。　　Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct　　据《纽约客》报道，该器件名为 SiZF4800LDT，“为设计人员提供了用于...

  • 意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效[2024-04-01]

    STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。　　　这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...

  • Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度[2024-03-21]

    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...

  • Infineon - 英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET， 以更高的功率密度和效率树立行业新标准[2024-03-21]

    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 功率 MOSFET 特性双脉冲测试[2024-03-07]

    IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。　　双脉冲有什么用？　　图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图，图 2 中显示了测量数据。　　图 1. 基本双脉冲设置，包括两个...

  • MOSFET工作原理和特点[2024-03-04]

    MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点： 工作原理：结构：MOSFET通常由栅极（Gate）、漏极（Source）...

  • MOSFET 共源放大器的频率响应[2024-02-29]

    之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作，我们需要更详细地检查其频率响应。　　在本文中，我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...

  • MOSFET共源放大器简介[2024-02-22]

    放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。　　在本文中，我们将讨论共源（CS）放大器，它使用栅极作为输入端，漏极作为输出。就交流信...

  • 什么是耗尽型 MOSFET？[2024-01-18]

    金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件，涵盖信号放大到数字应用，例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。　　耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供　　pn结二极管是最基本的...

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