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线性传感器,隧道电磁阻(TMR)线性传感器芯片

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  • 企业名:江苏多维科技有限公司

    类型:生产企业

    电话: 0571-85317539

    联系人:张先生

    QQ: QQ:1079183033

    邮箱:dzsczl@qq.com

    地址:江苏苏州江苏省张家港市保税区广东路7号E栋二楼

商品信息

欢迎来到多维科技,我司的目标是通过为客户提供高质量的产品与服务,不断满足客户的需求,为客户创造更多的价值。客户的需求就是我们的使命,您的满意就是我们的成功

 

 

我司新推出四款型号线性传感器,欢迎来电咨询:电话:0512-56319303  联系人:张先生

 

图片

名称

简介

MMLP57H隧道磁电阻芯片

 

 

MMLP57H隧道磁电阻芯片

 

 

隧道磁电阻(TMR) 技术;高灵敏度:3 mV/V/Oe;低功耗

MMLP57F隧道磁电阻芯片

 

 

MMLP57F隧道磁电阻芯片

 

 

隧道磁电阻(TMR) 技术;高灵敏度:6 mV/V/Oe;低功耗

MMLH45F隧道磁电阻芯片

 

 

MMLH45F隧道磁电阻芯片

 

隧道磁电阻(TMR) 技术;高灵敏度:12 mV/V/Oe;低功耗

MMLD47F隧道磁电阻芯片

 

 

MMLD47F隧道磁电阻芯片

 

 

隧道磁电阻(TMR) 技术;超宽动态范围;高灵敏度:6 mV/V/Oe

 

下面是四款型号传感器介绍:

 

 

1.  MMLP57H隧道磁电阻芯片线性传感器性能参数

(VCC = 1.0 V, TA = 25 °C)

 

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

工作电压

VCC

1

5

V

工作电流

ICC

5(2)

μA

电阻值

R

200(3)

kOhm

灵敏度

SEN

±30 Oe范围拟合

3

mV/V/Oe

动态范围

±70

Oe

线性范围

非线性度<1%

±30

Oe

失调电压

VOQ

±2.5

mV/V

磁滞

Hys.

±30 Oe范围拟合

0.1

%FS

失调电压温漂

VOT

H = 0 Oe

±0.005

mV/V/°C

灵敏度温度系数

-0.1

%/°C

使用温度

TA

-40

125

°C

频率响应

FCUT

DC

20

MHz

注:

(1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m

(2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。

(3) 阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。

 

2.  MMLP57F隧道磁电阻芯片线性传感器性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)

 

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

工作电压

VCC

1

5

V

工作电流

ICC

10(2)

μA

电阻值

R

100(3)

kOhm

灵敏度

SEN

±30 Oe范围拟合

6

mV/V/Oe

动态范围

±70

Oe

线性范围

非线性度<1%

±30

Oe

失调电压

VOQ

±5

mV/V

磁滞

Hys.

±30 Oe范围拟合

0.1

%FS

失调电压温漂

VOT

H = 0 Oe

±0.01

mV/V/°C

灵敏度温度系数

-0.1

%/°C

使用温度

TA

-40

125

°C

频率响应

FCUT

DC

20

MHz

注:

(1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m

(2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。

(3) 阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。

 

 3. MMLH45F隧道磁电阻芯片线性传感器性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)

 

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

工作电压

VCC

1

5

V

工作电流

ICC

12.5(2)

μA

电阻值

R

80(3)

kOhm

灵敏度

SEN

±30 Oe范围拟合

12

mV/V/Oe

动态范围

±50

Oe

线性范围

非线性度<1%

±15

Oe

失调电压

VOQ

±5

mV/V

磁滞

Hys.

±30 Oe范围拟合

0.1

%FS

失调电压温漂

VOT

H = 0 Oe

±0.01

mV/V/°C

灵敏度温度系数

-0.1

%/°C

使用温度

TA

-40

125

°C

频率响应

FCUT

DC

20

MHz

注:

(1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m

(2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。

(3) 阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。

 

 

4.MMLD47F隧道磁电阻芯片线性传感器性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)


 

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

工作电压

VCC

1

5

V

工作电流

ICC

12.5(2)

μA

电阻值

R

80(3)

kOhm

灵敏度

SEN

±20 Oe范围拟合

6

mV/V/Oe

动态范围

±70

Oe

线性范围

非线性度<1%

±20

Oe

失调电压

VOQ

±5

mV/V

磁滞

Hys.

±20 Oe范围拟合

0.1

%FS

失调电压温漂

VOT

H = 0 Oe

±0.01

mV/V/°C

灵敏度温度系数

-0.1

%/°C

使用温度

TA

-40

125

°C

频率响应

FCUT

DC

20

MHz

注:

(1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m

(2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。

(3) 阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。  

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