详细参数

 

       品牌：爱普生

　　型号：HC-49S

　　种类：晶振

　　标称频率：12.288（MHz）

　　调整频差：20（MHz）

　　温度频差：20（MHz）

　　总频差：20（MHz）

　　负载电容：标准（pF）

　　负载谐振电阻：标准（Ω）

　　激励电平：标准（mW）

　　基准温度：-20~70（℃）

 

 

　　产品图片

 

 

 

　　串联谐振和并联谐振

　　以下是典型的串联和并联谐振电路

 

 

　　石英(SiO2)由硅和氧两种元素组成。

　　切割角度和振动模式

　　根据不同用途，将石英晶棒按照特定的晶向切割成晶片，即可制成石英晶体。其振动切型、频率变化及其特性如图所示：

　　标称频率

　　该频率特指晶体元器件的性能指标，表示为MHz或KHz。

　　频率偏差

　　标称频率在一定温度（一般是25℃）下的允许偏差，表示为百分数（%）或百万分之几（ppm）。

　　频率稳定性

　　稳定性是指标称频率在一定温度范围内的允许偏差，规定在25℃下，此项偏差为0，以标称频率的百分数（%）或百万分之几（ppm）来表示。如前所述，这个参数与石英晶片的切角密切相关。

　　频率温度特性：

　　AT切厚度切石英晶体随切角变化的频率温度特性曲线。由于AT切频率温度特性等效于三次方程，因此在较宽的温度范围内有较好的频率稳定性。

　　工作温度范围

　　石英晶体元器件在规定的误差内工作的温度范围。常温为25℃，商用级温度为：-20-﹢70℃、工业级温度为：-40-+85℃、级温度为：-55-+125℃。

　　储存温度范围

　　晶体在非工作状态下保持标准特性的温度范围。

　　等效电路

　　一个产生主谐振频率的石英晶体可以表达为一个等效电路--- 一般包括一个由电感、电容和电阻组成的串联电路和一个与这个串联电路并联的电容，如图所示。

　　在这里，C0为是静态电容，包括电极间的静态电容和端子间的杂散电容。

　　将石英晶体元器件视为一个电子和机械的振动系统时，L1和C1 就是它的等效常数。由于这两个常数取决于切型、切角、晶片尺寸和电极结构等因素，并且可以反复调整，故而石英晶体元器件的精度可以做得很高。

　　R1表示振荡损耗，受切割方式、装联方式、晶片形状和晶片尺寸的控制。

　　负载电容（CL）

　　任何外部电容一旦与石英晶体元器件串联，即会成为其谐振频率一个决定因素。负载电容变化时，频率也会随之改变。因此，在电路中使用时，经常会以标准负载电容来微调频率至期望值。

　　静态电容（C0）

　　电极之间的静态电容和安装系统中的杂散电容。

　　等效串联电阻（ESR，Rr，R1）

　　晶体在谐振频率下的电阻值，ESR表示晶体的阻抗，单位为欧姆。

　　激励电平

　　流过晶体的激励电流的一项功能。激励电平是晶体中功率损耗的数值。功率是大多数功率器件在保证正常电气参数的情况下，维持工作所消耗的功率，单位为mW或uW。激励电平应维持在确保石英晶体正常起振和稳定振荡所需要的值，以避免年老化特性不良和晶体损伤。

　　泛音晶体

　　晶体通常在基频下工作，但对电路做轻微调整后，即可在第三、第五、第七、第九倍频下工作。为了保证泛音晶体在特定的倍频下振动，其切型角度、平行度和表面光洁度经过了特殊修正。

　　绝缘电阻

　　引线之间或引线和壳体之间的电阻。

　　品质因素

　　“Q”值是晶体等效电路中动态臂谐振时的品质因素。振荡电路所能获得的稳定性直接与电路中晶体的Q值相关。Q值越高，晶体带宽（“F”）越小，电抗值（fs-fa）变化越陡，外部电抗对晶体的影响越小。

　　CL=（C1×C2）/（C1+C2）+杂散电容 杂散电容可以在2pF-6pF之间变化

　　注意

　　当应用于CMOS振荡电路时，为了将激励电平保持在特定的数值范围内，获得稳定的振荡，电路图中的Rd是必不可少的。

　　C1和C2必须在10－31pF范围内,如果C1 小于10pF或C2大于30pF，则振荡很容易受到电路不同状况的影响，会使激励电平增加或负电阻减少，导致了振荡频率不稳定。

　　晶体振荡电路布线时，应尽可能短一些。

　　电路和接地部分之间的杂散电容应当减小。

　　晶体振荡电路部分与其它电路部分要避免桥接。

　　超声波清洗会使晶体性能退化

 

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