FQA11N90
FSC
T0-3P
无铅环保型
直插式
散装
企业名:深圳市广辉电子有限公司
类型:
电话: 13686868407
手机:13686868407
联系人:陈树辉
微信:
邮箱:659974144@qq.com
地址:广东深圳深圳市深南东路金城大厦3-10-A//柜台:深圳市华强北路新华强电子世界Q3B026室
∟ 其他IC(5)
供应900V,11A TO-3P N-CH MOSFET管FQA11N90
FQA11N90
900V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switch mode power supply.
Features
• 11.4A, 900V, RDS(on) = 0.96 Ω @ VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 72 nC)
• Low Crss ( typical 30 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻,对于正常的 IGBT 管(正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时, e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻),上述所测值均为无穷大;用指针万用表的红笔接 c 极,黑笔接 e 极,若所测值在 3 . 5k Ω l 左右,则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管,若所测值在 50k Ω左右,则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下, IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 . 5V 。
综上所述,内含阻尼二极管的 IGBT 管检测示意图如图所示,表笔连接除图中所示外,其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。实际维修中 IGBT 管多为击穿损坏。
企业名:深圳市广辉电子有限公司
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电话: 13686868407
手机:13686868407
联系人:陈树辉
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