是
ISC
BD441
功率
硅(Si)
NPN型
4（A）
36（W）
3（MHz）
平面型
直插型
塑料封装
企业名：无锡固电半导体股份有限公司
类型：生产制造商
电话： 0510-85346300
手机：15961889150
联系人：潘小姐
QQ： 
微信：
邮箱：mdc@iscsemi.com
地址：江苏无锡无锡新区新梅路68号
∟ 功率三极管(87)∟ 开关三极管(2)∟ 低噪声三极管(74)∟ 复合(达林顿)三极管(6)∟ 其他三极管(3)
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage -
: VCEO(SUS)= 80V(Min)
·Complement to type BD442
APPLICATIONS
·Designed for medium power linear and switching
applications.
SYMBOL | PARAMETER | VALUE | UNIT |
VCBO | Collector-Base Voltage | 80 | V |
VCES | Collector-Emitter Voltage | 80 | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage | 80 | V |
VEBO | Emitter-Base Voltage | 5 | V |
IC | Collector Current-Continuous | 4 | A |
ICM | Collector Current-Pulse | 7 | A |
IB | Base Current-Continuous | 1 | A |
PC | Collector Power Dissipation @ TC=25℃ | 36 | W |
TJ | JunctionTemperature | 150 | ℃ |
Tstg | StorageTemperature Range | -65~150 | ℃ |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃unless otherwise specified
SYMBOL | PARAMETER | CONDITIONS | MIN | TYP. | MAX | UNIT |
VCEO(SUS) | Collector-Emitter Sustaining Voltage | IC= 100mA; IB= 0 | 80 |
|
| V |
VCE(sat) | Collector-Emitter Saturation Voltage | IC= 2A; IB= 0.2A |
|
| 0.8 | V |
VBE(on)-1 | Base-Emitter On Voltage | IC= 10mA; VCE= 5V |
| 0.58 |
| V |
VBE(on)-2 | Base-Emitter On Voltage | IC= 2A; VCE= 1V |
|
| 1.5 | V |
ICBO | Collector Cutoff Current | VCB=80V; IE= 0 |
|
| 100 | μA |
ICEO | Collector Cutoff Current | VCE=80V; VBE= 0 |
|
| 100 | μA |
IEBO | Emitter Cutoff Current | VEB= 5V; IC= 0 |
|
| 1 | mA |
hFE-1 | DC Current Gain | IC= 10mA; VCE= 5V | 15 |
|
|
|
hFE-2 | DC Current Gain | IC= 0.5A; VCE= 1V | 40 |
|
|
|
hFE-3 | DC Current Gain | IC= 2A; VCE= 1V | 15 |
|
|
|
fT | Current-Gain—Bandwidth Product | IC= 0.25A; VCE= 1V | 3 |
|
| MHz |
企业名：无锡固电半导体股份有限公司
类型：生产制造商
电话： 0510-85346300
手机：15961889150
联系人：潘小姐
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微信：
邮箱：mdc@iscsemi.com
地址：江苏无锡无锡新区新梅路68号
