NA169NA SOT23

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产品分类

集成电路(IC)(5)
∟ 逻辑IC(2)∟ 其他IC(3)
电源IC(347)
∟ LDO(281)∟ DC-AC(19)∟ DC-DC(23)∟ LED驱动IC(5)∟ 稳压IC(10)∟ 充电管理IC(4)∟ 其他电源IC(6)
半导体存储器(23)
∟ ROM（只读存储器）(2)∟ QTP（掩膜ROM）(14)∟ NVROM(非易失随机存储器）(2)∟ PROM（可编程ROM）(4)∟ DRAM（MOS型动态存储器）(1)
二极管(63)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(23)∟ 整流二极管(10)∟ 稳压二极管(6)∟ 开关二极管(4)∟ 硅粒子/硅堆/高压二极管(1)∟ 继流二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(3)∟ 瞬态(变)抑制二极管(6)∟ 触发二极管(1)∟ 肖特基二极管(3)∟ 发光二极管(2)∟ 微波二极管(1)∟ 其他二极管(2)
三极管(82)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(41)∟ 功率三极管(22)∟ 开关三极管(5)∟ 低噪声三极管(3)∟ 超高频/高频三极管(1)∟ 三端稳压管(器)(2)∟ 微波三极管(1)∟ 带阻三极管(2)∟ 三极管芯片(管芯)(2)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(15)
∟ MOSFET(13)∟ 结型场效应管(1)∟ GTR达林顿模块(1)
可控硅IGBT(4)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(4)
单片机(77)
∟ 单片机产品/套件(55)∟ 单片机开发板(1)∟ 单片机MCU(2)∟ 单片机仿真器(19)
电容器(1448)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(186)∟ 贴片可(微)调电容(1)∟ 可(微)调电容(1)∟ 铝电解电容(108)∟ 无极性铝电解电容(25)∟ 钽电解电容(31)∟ 合金电解电容(1)∟ 安规电容(35)∟ 高压电容(5)∟ 超级(法拉/黄金)电容(12)∟ 瓷片(瓷介)电容(122)∟ 瓷管电容(14)∟ 陶瓷电容(559)∟ 独石(层积)电容(11)∟ 固态电容(7)∟ 有机薄膜介质电容(297)∟ 涤纶电容(4)∟ 聚丙烯(CBB)电容(22)∟ 无感电容(1)∟ 校正电容器(2)∟ 其他电容(3)
电阻器(172)
∟ 贴片/片式电阻(40)∟ 碳膜电阻(37)∟ 金属(氧化)膜电阻(12)∟ 氧化膜电阻(1)∟ 复合膜电阻(5)∟ 玻璃釉膜电阻(2)∟ 水泥电阻(1)∟ 线绕电阻(5)∟ 排阻/网络电阻(8)∟ 高功率电阻(1)∟ 热敏电阻(17)∟ 光敏电阻(4)∟ 气敏电阻(1)∟ 压敏电阻(33)∟ 高频无感电阻(1)∟ 铝壳电阻(2)∟ 其他电阻(1)
电感器(341)
∟ 贴片电感(286)∟ 色环/色码电感(1)∟ 磁珠/磁环（环型）电感(17)∟ I型/棒型/一字型电感(5)∟ 射频/高频电感(1)∟ 功率电感(3)∟ 扼流线圈电感(7)∟ 共模电感(10)∟ EMI滤波器(10)∟ 其他电感器(1)
电位器(28)
∟ 合成碳膜电位器(4)∟ 陶瓷电位器(2)∟ 线绕电位器(1)∟ 单圈、多圈电位器(5)∟ 直滑式电位器(3)∟ 其他电位器(13)
微调电位器(166)
∟ 贴片/片状电位器(145)∟ 碳膜微调/预调电位器(13)∟ 玻璃釉微调/预调电位器(2)∟ 精密微调/预调电位器(5)∟ 密封式微调/预调电位器(1)
石英晶体器件(37)
∟ 贴片晶振(25)∟ 晶振(普通)(12)
压电陶瓷元件(6)
∟ 陶瓷滤波器(2)∟ 陶瓷谐振器(2)∟ 压电陶瓷换能器（片）(2)
连接器/接插件(23)
∟ 条形(压接式)连接器(4)∟ 线对线连接器(1)∟ FFC/FPC/薄膜电缆连接器(4)∟ IC连接器(1)∟ 端子台(5)∟ IC插座(3)∟ 端子接插件(3)∟ 光纤端子(1)∟ 其他连接器(1)
开关(8)
∟ 贴片/片式开关(1)∟ 轻触开关(2)∟ 拨动/滑动开关(3)∟ 接近开关(2)
传感器(1)
∟ 电磁传感器(1)
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∟ 气体放电管(4)∟ 陶瓷放电管(3)
普通电池/蓄电池/动力电池(2)
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变压器(1)
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放大器(2)
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商品信息

制造过程

芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。

精密的芯片其制造过程非常的复杂

首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样”

1，芯片的原料晶圆

晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体所需要的晶圆。晶圆越薄，生产的成本越低，但对工艺就要求的越高。

2，晶圆涂膜

晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种。

3，晶圆光刻显影、蚀刻

该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软。通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。这时可以用上份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。

4、掺加杂质

将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。

具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将这一流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。这一点类似多层PCB板的制作原理。更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。

5、晶圆测试

经过上面的几道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。数量越大相对成本就会越低，这也是为什么主流芯片器件造价低的一个因素。

6、封装

将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作成各种不同的封装形式，这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN等等。这里主要是由用户的应用习惯、应用环境、市场形式等外围因素来决定的。

7、测试、包装

经过上述工艺流程以后，芯片制作就已经全部完成了，这一步骤是将芯片进行测试、剔除不良品，以及包装。

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