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三菱全新原装射频模块 RA07M3340M

三菱全新原装射频模块 RA07M3340M
三菱全新原装射频模块 RA07M3340M
  • 型号/规格：

    RA07M3340M

  • 品牌/商标：

    三菱

发布询价信息
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金牌会员 第 16 年

  • 企业名：深圳市中立信电子科技有限公司

    类型：贸易/代理/分销

    电话： 0755-23956688
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    手机：13410226883

    联系人：叶先生/王先生

    QQ： QQ:2270672799QQ:3383957101

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    地址：广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

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商品信息

三菱全新原装射频模块 RA07M3340M

571×428
型　　号： RA07M3340M
价　　格： 70 元
订货量(PCS)：>=1
发货地点： 广东省 深圳
产品类别： 集成电路(IC)
更新时间：2013-6-15 16:04:24
商品详情
功率：7W 类型：其他IC 型号：RA07M3340M
批号：2013+ 用途：功放 品牌：Mitsubishi/三菱
是否提供加工定制：否 封装：H46S ?

RA07M3340M是7-watt RF的MOSFET放大器模块for 7.2-volt，在330-工作的移动收音机400-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进排水=0V),只是一个很小的泄漏电流与输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率作为栅极和漏极电压增加电流增加.随着栅极电压约2.5V（），输出功率和漏目前的大幅增加.额定输出功率变在3V（典型值）和3.5V（）提供.在VGG=3.5V,的典型栅极电流1 mA.该模是专为非线性调频调制，但可能也可用于线性调制通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制输入功率.

特征
?增强型MOSFET晶体管(IDD?0@ VDD=7.2V, VGG=0V)
? Pout>7W @ VDD=7.2V, VGG=3.5V, Pin=50mW
?ηT>40% @ Pout=6.5W (VGG控制），VDD=7.2V, Pin=50mW
?宽带频率范围：330-400MHz
?低功耗控制电流IGG=1mA (typ)在VGG=3.5V
?模块尺寸：30 x 10 x 5.4 mm
?线性操作有可能通过设置静态漏电流同门电压和输出功率的控制输入功率
RA07M3340M： Silicon RF Power Semiconductors   RoHS Compliance , 330-400MHz 7W 7.2V, 2Stage Amp. For PORTABLE RADIO
DESCRIPTION
The RA07M3340M is a 7-watt RF MOSFET Amplifier Module for 7.2-volt portable radios that operate in the 330- to 400-MHz range.The battery can be connected directly to the drain of the
enhancement-mode MOSFET transistors. Without the gate voltage (VGG=0V), only a small leakage current flows into the drain and the RF input signal attenuates up to 60 dB. The output power and drain current increase as the gate voltage increases.With a gate voltage around 2.5V (minimum), output power and drain current increases substantially. The nominal output power becomes available at 3V (typical) and 3.5V (maximum). At VGG=3.5V, the typical gate current is 1 mA.This module is designed for non-linear FM modulation, but may also be used for linear modulation by setting the drain quiescent current with the gate voltage and controlling the output power with the input power.
FEATURES
? Enhancement-Mode MOSFET Transistors (IDD?0 @ VDD=7.2V, VGG=0V)
? Pout>7W @ VDD=7.2V, VGG=3.5V, Pin=50mW
? ηT>40% @ Pout=6.5W (VGG control), VDD=7.2V, Pin=50mW
? Broadband Frequency Range: 330-400MHz
? Low-Power Control Current IGG=1mA (typ) at VGG=3.5V
? Module Size: 30 x 10 x 5.4 mm
? Linear operation is possible by setting the quiescent drain current with the gate voltage and controlling the output power with the input power RoHS COMPLIANCE
? RA07M3340M-101 is a RoHS compliant products.
? RoHS compliance is indicate by the letter “G” after the Lot Marking.
? This product include the lead in the Glass of electronic parts and the lead in electronic Ceramic parts.How ever,it applicable to the following exceptions of RoHS Directions.
1.Lead in the Glass of a cathode-ray tube, electronic parts, and fluorescent tubes.
2.Lead in electronic Ceramic parts.
ORDERING INFORMATION:
ORDER NUMBER： RA07M3340M-101
SUPPLY FORM： Antistatic tray,50 modules/tray

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Best Regards

深圳市华誉伟业电子有限公司罗先生

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联系方式

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