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硅光电倍增管

供应硅光电倍增管
供应硅光电倍增管
  • 型号/规格:

    硅光电倍增管

  • 品牌/商标:

    硅光电倍增管

  • 型号:

    硅光电倍增管

  • 描述:

    硅光电倍增管

普通会员
  • 企业名:北京华恒鑫达科技发展有限公司

    类型:其他供应商

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    联系人:舒女士

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    地址:北京北京市石景山区万达广场E座1015室

产品分类
商品信息

产品简介:

主要应用领域:                                               

· 中子和a探测                                                     

· 放射治疗,粒子和X                                        

· 线速检测和诊断                                          

· 追踪(内层)LHC/SLHC                     

· TOF                                                              

· 能力分辨                                                      

· 重离子。

产品特性:

· 在强辐射场工作稳定,可用于高辐射和极端的化学环境

· 信号采集时间短·

· 暗电流<5微安

· 室温工作

· 信嗓比优于10000/1

硅光电倍增管(Silicon photomultiplier)是一种新型的光电探测器件,由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成,一般具有增益高10、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。它发明于二十世纪九十年代末,广泛应用于高能物理及核医学(PET)等领域,近几年来在核医学领域发展迅速,被广泛认为是可以取代光电倍增管的光探测器件。
其他名称: SPM, SiPM, GAPD, MPPD
原理: 每个硅光电倍增管由大量的(几百到几千个)雪崩二极管(APD)单元组成,每一个单元由一个APD和一个大阻值淬灭电阻串联而成,这些微元并联成一个面阵列。为硅光电倍增管加上反向偏压(一般是几十伏)后,每个微元的APD耗尽层有很高的电场,此时若外界有光子打进来,会和半导体中的电子空穴对发生康普顿散射,打出电子或空穴(这句话不,只为方便理解),高能的电子和空穴随即在电场中加速,打出大量的次级电子和空穴,即雪崩。此时每个微元电路中电流突然变大,在淬灭电阻R上降落的电压也变大,APD中的电场瞬间变小,即APD输出一个瞬时电流脉冲后雪崩停止,不同微元的淬灭电阻阻值相同,所以理论上讲每个微元会输出等大的脉冲。APD是模拟器件,但宏观来看每个微元都是逻辑单元,有信号输出是“1”,没有信号就是“0”。在硅光电倍增管的动态范围内,它输出电流的大小就和发生雪崩的微元数成正比。


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类型:其他供应商

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