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深圳公明厂家创硕达供应CL21金属化聚脂薄膜电容器耐高压

深圳公明厂家创硕达供应CL21金属化聚脂薄膜电容器耐高压

深圳公明厂家创硕达供应CL21金属化聚脂薄膜电容器耐高压

品牌：
CSD创硕达
型号：
MER
介质材料：
*薄膜
应用范围：
旁路
外形：
长方形
功率特性：
大功率
频率特性：
高频
调节方式：
固定
引线类型：
同向引出线
允许偏差：
&plu*n;10（%）
耐压值：
630（V）
标称容量：
0.001~10uF（uF）

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市创硕达电子有限公司

类型：生产加工

电话： 0755-29948886

联系人：郑清明

地址：广东深圳深圳宝安区光明红坳恒泰裕高新技术园8栋

产品分类

电容器(943)
∟ 安规电容(4)∟ 高压电容(1)∟ 马达(启动)电容(5)∟ 瓷片(瓷介)电容(5)∟ 陶瓷电容(11)∟ 穿芯电容(2)∟ 涤纶电容(1)∟ 聚丙烯(CBB)电容(26)∟ 校正电容器(2)∟ 其他电容(815)
电感器(2)
∟ 分频器(2)

新品上架

商品信息

■采用标准
GB7332(IEC384-2)

■结构
介质：聚酯膜。
电*：金属真空蒸发层（铝/锌铝复合加厚型）。
封装：阻燃环氧树脂（UL94 V-0）。

■典型应用
直流及低脉冲场合。
如：低频滤波、隔直流及旁路等。
不推荐使用在交流、滤波、振荡及高频场合。

■特点
体积很小，有良好自愈性；
有脉冲强度，高*性

■当额定电压大于250V时推荐使用CBB21替代

■技术参数

气候条件	-40-- 100℃
额定电压VDC	100V、250V、400V、630V
容量范围	0.0022μF-10μF
容量偏差	&plun;5%? &plun;10%
耐电压	1.6UR （5S）
*缘电阻或时间常数	≤0.33μF		≥7500MΩ
	＞0.33μF		≥2500S （MΩ.μF）
损耗角正切	≤0.01? 1kHz???? 20℃
稳态湿热	温度：40&plun;2℃ 湿度：93%RH 持续时间：21天无可见损伤，标志清晰电容量：△C/C≤5% 损耗角正切（1KHz）：增加≤0.005 缘电阻IR：≥额定值的50%
耐久性	85℃，1000h 施加电压：1.25×额定电压电容量：△C/C≤10% *缘电阻IR：≥额定值的50%
dv/dt（v/μs）	脚距	10		15	20	25	31
	250V	20		10	8	5	5
	400V	50		20	10	8	8
	630V	150		60	25	12	12

■ 交流和直流电压的对应关系

直流电压	100VDC	250VDC	400VDC	630VDC
交流电压	63VAC	160VAC	200VAC	220VAC

■外形尺寸

脚距mm	10	15	22.5	27.5	31
引线直径mm	0.6	0.6/0.8	0.8	0.8	0.8

■ 结构图

■特性曲线图

容量与温度特性曲线

联系方式

企业名：深圳市创硕达电子有限公司

类型：生产加工

电话： 0755-29948886

联系人：郑清明

地址：广东深圳深圳宝安区光明红坳恒泰裕高新技术园8栋

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