CT0.4-P LEM电流互感器 ，太阳能系统专用

 

型号规格：CT0.4-P

 

备注：原装

 

4G牌照的发放为业界带来一片光明。发牌既标志着4G新时代的开篇，也是我国在3G时代技术积淀收获的“硕果”。几度浮沉的芯片厂商，或将在新的时间节点下完成新的“使命必达”。

迈向新制程

随着TD-LTE产业成熟和商用推广，未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能，TD-LTE芯片将逐渐向28nm演进。

全产业链的相对成熟是4G发牌时必需的考量，虽然在芯片环节还受限于多模多频的挑战，但一个显见的事实是制程工艺成熟度的提升是突破这一瓶颈的关键。大唐电信集团董事长真才基就对《中国电子报》记者表示，从芯片角度来看，4G终端芯片将聚集在28nm制程，中芯国际的28nm技术已经成熟，能够与4G发展的要求相匹配。希望中国4G终端芯片能够较长时间稳定在28nm工艺上发展，因其产业化平台越长，对提高终端供给能力越有好处。

在3G时代早期，多模TD芯片厂商基本采用65nm甚至90nm制程，导致成本功耗居高不下，一直阻碍着TD-SCDMA的发展。但随着TD—LTE时代的到来，随着多模多频基带以及平台芯片复杂度的提高，以及成本、功耗要求的不断提高，如果说TD-LTD芯片的发展要汲取教训的话，那显然28nm制程将成为未来芯片厂商采取的主要技术。

联芯科技副总裁刘积堂也强调，对于TD-LTE芯片市场来说，在产业发展初期，基于40nm工艺芯片的数据类终端可以满足TD-LTE应用需求。随着TD-LTE产业成熟和商用推广，未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能，TD-LTE芯片将逐渐向28nm演进，以提供更佳的用户体验。联芯正在研发的四核五模十频TD-LTE芯片预计年底推出，将采用28nm工艺。

 

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