原装 FQD13N10 仙童场效应管可开增值税发票

加工定制：
否
品牌/商标：
FAIRCHILD/仙童
型号/规格：
FQD13N10
应用范围：
功率
材料：
硅(Si)
极性：
PNP型
击穿电压VCEO：
10（V）
集电极允许电流ICM：
20（A）
集电极耗散功率PCM：
20（W）
截止频率fT：
14（MHz）
结构：
点接触型
封装形式：
贴片型

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商品信息

FQD13N10 100V的N沟道MOSFET

完整型号:
FQD13N10
FQD13N10TM
FQU13N10
品牌: FAIRCHILD
封装: SOT-252,TO-251
年份: 09+
数量: 300000
包装:编带盘装 2500/盘
产品描述:
FQD13N10 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的，
平面条纹，DMOS工艺技术。这种先进的技术，特别是针对已
尽量减少对通态电阻，提供优越的开关性能，经受住了高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于诸如音频放大器的低电压应用中，
高效率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。
特点
1.10A，100V，RDS（上）=0.18Ω@ VGS电压= 10V
2.低栅极电荷（典型值12nC）
3.低Crss（20 pF的典型）
4.快速切换
5.100％雪崩测试
6.改进的dv/dt的能力

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