产品型号:AP4419GJ,TO-251,DIP/MOS,P场,-35V,-25A,0.038Ω
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

描述:
 该TO-252包装普遍的所有商业，工业表面贴装应用，适合于低电压应用，如DC/ DC转换器。通

孔版本（AP4419GJ）可用于低配置应用程序。

特点:
 * 低导通电阻
 * 简单的驱动器要求
 * 快速开关特性
 * 符合RoHS标准

封装:TO-251

品牌：AP/富鼎

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-35

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):-25

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0038 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-3

功率PD(W):34.7

输入电容Ciss(PF):700 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：14

导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ.

上升时间Tr(ns):40 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):46 typ.

下降时间Tf(ns):56 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:AP4419GJ,-35V,-25A,0.038Ω P-沟道增强型场效应晶体管

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