BFR520 参数

类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管

集电*-发射*电压VCEO：15V

集电*-基*电压VCBO:20V

发射*-基*电压VEBO:2.5V

集电*直流电流IC:120mA

总耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW

工作结温Tj:150℃

贮存温度Tstg:-65~150℃

封装形式：SOT-23

功率特性：*率

*性：NPN型

结构：扩散型

材料：硅(Si)

封装材料：塑料封装

电性能参数（TA=25℃）：

击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V

直流放大系数hFE: 40～250 @VCE=8V,IC=40mA

集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)

发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)

特征频率fT:9.0GHz@ VCE=8V,IC=40mA

集电*允许电流IC：0.12（A）

集电**大允许耗散功率PT：0.5（W）

功率增益GUM：14dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

噪声系数NF：1.3dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

*功率增益∣S21∣：13dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。

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