大量供应精工S-8211EAC-M5T1U锂电池保护IC

类型：
电源模块
品牌/商标：
日本精工SII
型号/规格：
S-8211EAC-M5T1U
封装：
SOT-23-5

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传感器(1)
∟ 光电/光敏传感器(1)
普通电池/蓄电池/动力电池(26)
∟ 锂(锂离子)电池(11)∟ 磷酸铁锂电池(2)

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商品信息

本公司*代理国际品牌锂电池IC

1节电池用电池保护IC S-8211E系列

S-8211E系列是内置*电压检测电路和延迟电路的IC。
本IC*适用于*1节电池用锂离子可充电池 / 锂聚合物可充电池电池组的过充电和过放电

特点

*电压检测电路
- 过充电检测电压 3.6 V ～ 4.4 V (以5 mV进阶) 精度&plu*n;25 mV (＋25°C) / 精度&plu*n;30 mV (-5°C ～＋55°C)
- 过充电解除电压 3.5 V ～ 4.4 V^*1精度&plu*n;50 mV
- 过放电检测电压 2.0 V ～ 3.0 V (以10 mV进阶) 精度&plu*n;50 mV
- 过放电解除电压 2.0 V ～ 3.4 V^*2精度&plu*n;100 mV
各种检测延迟时间*通过内置电路即可实现 (不需要外接电容) 精度&plu*n;20%
宽工作温度范围 -40°C ～＋85°C
低消耗电流
- 工作时 3.0 µA 典型值、5.5 µA *大值 (＋25°C)
- 过放电时 2.0 µA 典型值、3.5 µA *大值 (＋25°C)
采用小型封装 SOT-23-5、SNT-6A
无铅产品

*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压-过充电滞后电压
(过充电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ～ 0.4 V的范围内，以50 mV为进阶单位进行选择)

*2. 过放电解除电压 = 过放电检测电压＋过放电滞后电压
(过放电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ～ 0.7 V的范围内，以100 mV为进阶单位进行选择)

用途

•锂离子可充电池电池组
•锂聚合物可充电池电池组

●Please confirm the product name and specifications with the data sheet again. ●データシートで*、製品名?仕様をご確認ください。 ●请通过数据表再次确认产品名称与规格。
Product Name	Package	Overcharge	Overcharge	Overdischarge	Overdischarge	Overcharge	Overdischarge	CO Pin
		Detection	Release	Detection	Release	Detection	Detection	Output
		Voltage	Voltage	Voltage	Voltage	Delay Time	Delay Time	Form
		【V_CU】	【V_CL】	【V_DL】	【V_DU】	【t_CU】	【t_DL】
製品名	パッケージ	過充電検出電圧	過充電解除電圧	過放電検出電圧	過放電解除電圧	過充電検出遅延時間	過放電検出遅延時間	CO端子出力形式
S-8211EAC-M5T1U	SOT-23-5	3.600 V	3.600 V	2.00 V	2.00 V	1.2 s	150 ms	CMOS output active “L”
S-8211EAF-M5T1U	SOT-23-5	3.650 V	3.550 V	2.00 V	2.30 V	573 ms	300 ms	CMOS output active “L”
S-8211EAG-M5T1U	SOT-23-5	3.800 V	3.600 V	2.00 V	2.30 V	573 ms	300 ms	CMOS output active “L”
S-8211EAJ-M5T1U	SOT-23-5	4.180 V	4.180 V	2.50 V	3.00 V	1.2 s	150 ms	CMOS output active “H”
S-8211EAK-M5T1U	SOT-23-5	3.600 V	3.600 V	2.00 V	2.30 V	1.2 s	150 ms	CMOS output active “H”
S-8211EAA-I6T1x	SNT-6A	4.220 V	4.220 V	2.00 V	2.00 V	573 ms	300 ms	CMOS output active “L”
S-8211EAB-I6T1x	SNT-6A	4.270 V	4.270 V	2.00 V	2.00 V	573 ms	300 ms	CMOS output active “L”
S-8211EAD-I6T1x	SNT-6A	4.220 V	4.220 V	2.50 V	2.50 V	573 ms	300 ms	CMOS output active “L”
S-8211EAE-I6T1x	SNT-6A	4.220 V	4.220 V	2.30 V	2.30 V	573 ms	300 ms	CMOS output active “L”
S-8211EAH-I6T1U	SNT-6A	4.000 V	3.800 V	3.00 V	3.20 V	1.2 s	150 ms	CMOS output active “L”
S-8211EAI-I6T1U	SNT-6A	3.800 V	3.700 V	2.30 V	2.40 V	1.2 s	150 ms	CMOS output active “L”