品牌:VISHAY/PH 型号:BYV26A 封装形式:直插型 装配方式:通孔插装 封装材料:玻璃封装 结构:点接触型 材料:锗 频率特性:*频 功率特性:小功率 正向工作电流:1（A） *高反向电压:200（V） 反向恢复时间:35（ns） 应用范围:快速关断(阶跃恢复)
快恢复二*管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二*管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二*管、续流二*管或阻尼二*管使用。
快恢复二*管的内部结构与普通PN结二*管不同，它属于PIN结型二*管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二*管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
通常，5~20A的快恢复二*管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二*管采用顶部带金属散热片的TO–*塑料封装，5A以下的快恢复二*管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。
采用TO–220或TO–*封装的大功率快恢复二*管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴
1．性能特点
1）反向恢复时间
反向恢复时间tr的定义是：电流通过*点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为*大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流*降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件*过反向电流IR，并且IR逐渐*；在t=t2时刻**大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻*规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
2）快恢复、*快恢复二*管的结构特点
快恢复二*管的内部结构与普通二*管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不*大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二*管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。*快恢复二*管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可*几十纳秒。
20A以下的快恢复及*快恢复二*管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二*管，根据两只二*管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二*管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）*快恢复二*管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，
几十安的快恢复二*管一般采用TO-*金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。
