卖家真心话：

100%***原装。我们老总另一家公司生产变频器都是用的这种。不是*的不敢用。

IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，*缘栅双*型晶体管，是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻*和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。*适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块的选择

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电*电流*时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗*，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。*是用作高频开关时，由于开关损耗*，发热加剧，选用时应该降等使用。 

使用中的注意事项

　　由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅*通过一层氧化膜与发射*实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般*20～30V。因此因静电而导致栅*击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 　　在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当*须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然*了栅*驱动电压没有*过栅**大额定电压，但栅*连线的寄生电感和栅*与集电*间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅*连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 　　此外，在栅*—发射*间开路时，若在集电*与发射*间加上电压，则随着集电*电位的变化，由于集电*有漏电流流过，栅*电位升高，集电*则有电流流过。这时，如果集电*与发射*间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 　　在使用IGBT的场合，当栅*回路不正常或栅*回路损坏时(栅*处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为*此类故障，应在栅*与发射*之间串接一只10KΩ左右的电阻。 　　在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，*好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。 

保管时的注意事项

　　一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天*干燥的地区，需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合； 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方； 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物； 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 　　IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分*要的。

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