产品参数：

　　加工定制：是

　　品牌：台湾鼎元芯片

　　型号：IRP8082C2-A

　　光源功率：0.06（W）

　　电压：1.4-1.6（V）

　　有效光照范围：30-100（m）

　　外形尺寸：8*8.5*15（mm）

　　矮头：角度60-90度

　　引脚：长角为25-28MM

　　正负角相隔1.5MM

　　胶体高度：胶体高度8.6毫米，有边，无色透明

　　实际的产品参数请致电厂家电话确定！

　　Features

　　High reliability

　　High radiant intensity

　　Peak wavelength λp=850nm

　　2.54mm Lead spacing

　　Low forward voltage

　　Pb free

　　The product itself will remain within RoHS compliant version.

　　Descriptions

　　Xinghui's Infrared Emitting Diode is a high intensity diode,molded in a water clear plastic package.

　　The device is spectrally matched with phototransistor , photodiode and infrared receiver module.

　　Applications

　　Free air transmission system

　　Opto electronic switch

　　Floppy disk drive

　　Infrared applied system

　　Smoke detector

　　我们的主打产品--850红外发射管（以下介绍封装）

　　目前做850nm发射管封装的公司很多，但是必须懂得封装的工艺细节要求，要封装出品质好的红外发射管，首先要选好材料，主要材料是晶片、银浆、胶水、支架等；晶片的选择决定其功率、光衰，银浆的选择对其死灯现象影响较大，目前的银浆来自日本和英国；胶水决定其耐热性能，目前的胶水是台湾原厂的，其应力好，耐高温，封出的IR发射管表面偏雾和略偏黄。兴辉综合上述因素不断研究突破，力求给您带来的每一款产品都符合国际的质量要求以及您的需要！

　　您在使用发射管时的注意事项：

　　1.极限参数包括以下几个方面，都是值得我们注意的：允许功耗Pm,瞬间电流IFP,正向电流IFM,反向电压VRm,工作温度topm.红外发射管在工作过程中其各项参数均不得超过极限值，因此在代换选型时应当注意原装管子的型号和参数，不可随意更换。另外，也不可任意变更红外发射管的限流电阻。

　　2.红外线发射管前端的球面形发射部分既不能存在污染物，更不能受到摩擦损伤，否则，发出的红外光将产生反射及散射现象，直接影响到红外光的辐射，可能会降低遥控的灵敏度和遥控距离，也有可能完全失效，红外发射应保持清洁、完好状态。

我们不懈的追求成为全球领先的LED照明方案供应商

企业名：深圳市兴辉光电有限公司

类型：生产企业

电话：

手机：13717099298

联系人：林先生/张先生/宋先生

QQ：

邮箱：xinhuiled@163.com

地址：广东深圳深圳市宝安区福永和平村福园一路42号智鹏工业园五栋