二管

型号/规格：
gbu406
品牌/商标：
HYW
封装形式：
GBU
*类别：
无铅*型
安装方式：
贴片式
包装方式：
盒带编带包装

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类型：

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产品分类

二极管(20)
∟ 整流二极管(1)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(16)∟ 肖特基二极管(3)

新品上架

商品信息

产品参数：

**：	是	产品类型：	快恢复二*管
是否*：	否	品牌：	MIC
型号：	gbu406	材料：	硅(Si)
主要参数：	1A	用途：	快恢复
备注：	现货

二*管电路：

　　电路的工作状态有两种：一种是稳定状态、一种是暂时状态或叫暂态。在具有电容、电感的电路中，当电路的工作条件发生变化时，由于储能元件储能的变化，电路将从原来的稳定状态经历*时间变换到新的稳定状态，这一变换过程称为过渡过程，电路的过渡过程通常是很短的，所以又称暂态过程。
　　根据电路的激励（电路中发生电流、电压的起因）通过对电路的暂态分析来得到电路的响应（受激励的作用在电路中所引起的电流与电压称为响应），由于激励和响应都是时间的函数，所以这种分析有叫时域分析。

工作原理：

　　晶体二*管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在*反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到*程度时，pn结空间电荷层中的电场强度*临界值产生载流子的*过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二*管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。