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PT8205 MOS管,深圳优质厂家PT8205 MOS管大量供应

PT8205 MOS管,深圳优质厂家PT8205 MOS管大量供应
PT8205 MOS管,深圳优质厂家PT8205 MOS管大量供应
  • 型号/规格:

    PT8205

  • 品牌/商标:

    中光

普通会员
商品信息

  产品信息:
  类型:其他IC

     品牌:GOOD-ARK

      型号:PT8205


  主要参数
  1.开启电压VT
  ·开启电压(又称阈值电压):使得源*S和漏*D之间开始形成导电沟道所需的栅*电压;
  ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;
  ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
  2. 直流输入电阻RGS
  ·即在栅源*之间加的电压与栅*电流之比
  ·这一特性有时以流过栅*的栅流表示
  ·MOS管的RGS可以很容易地*过1010Ω。
  3. 漏源击穿电压BVDS
  ·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS   ·ID剧增的原因有下列两个方面:
  (1)漏*附近耗尽层的雪崩击穿
  (2)漏源*间的穿通击穿
  ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为*,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID


  定义:
  mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—*缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

联系方式

企业名:常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

类型:原厂制造商

电话: 0519-69806757
0519-69806757
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手机:
18861495296
13511665920

联系人:芮小姐/王先生/胡小姐

QQ: QQ:1218214831QQ:350249299QQ:1358857380

邮箱:350249299@qq.com

地址:江苏常州江苏省常州武进经济开发区河虹路6号

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