BZX84C68CC
中光
SOT-23
无铅*型
贴片式
散装
类型:原厂制造商
电话:
0519-69806757
0519-69806757
0519-69806757
手机:
18861495296
13511665920
联系人:芮小姐/王先生/胡小姐
邮箱:350249299@qq.com
地址:江苏常州江苏省常州武进经济开发区河虹路6号
∟ 贴片/片式/SMD二极管(211)∟ 整流二极管(115)∟ 稳压二极管(372)∟ 开关二极管(27)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(154)∟ 硅粒子/硅堆/高压二极管(2)∟ 检波二极管(2)∟ 快/超快/特快恢复二极管(84)∟ 瞬态(变)抑制二极管(36)∟ 触发二极管(3)∟ 肖特基二极管(96)∟ 其他二极管(7)
BZX84C68CC稳压二*管特性:
表面材料:硅
封装:SOT-23塑封
应用:蜂窝移动设备、手持式便携仪器等
齐纳击穿电压范围:2.4v~75v
功率损耗:350mW
存储温度范围:-65℃~150℃
BZX84CXXXCC系列稳压二*管参数:
二*管击穿有哪3种情况?
二*管的击穿通常有三种情况,即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。
(1)雪崩击穿
对于掺杂浓度较低的PN结,结较厚,当外加反向电压高到*数值时,因外电场过强,使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞,将原子电离,产生新的电子空穴对,由于链锁反应的结果,使少数载流子数目急剧增多,反向电流雪崩式地**,这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。
(2)齐纳击穿
对于采用高掺杂(即杂质浓度很大)形成的PN结,由于结很薄(如0.04μm)即使外加电压并不高(如4V),就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来,产生大量的电子一空穴对,使反向电流剧增,这种现象叫齐纳击穿(因齐纳研究而得名)。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。
(3)热击穿
在使用二*管的过程中,如由于PN结功耗(反向电流与反向电压之积)过大,使结温升高,电流变大,循环反复的结果,*过PN结的允许功耗,使PN结击穿的现象叫热击穿。热击穿后二*管将发生性损坏。
对于硅PN结,击穿电压在7V以上的为雪崩击穿;4V以下的为齐纳击穿;在4~7V之间的两种情况都有。无论哪种击穿,只要控制反向电流的数值不致引起热击穿,当反向电压下降到击穿电压以下,其性能可以恢复到未击穿前的状况。
类型:原厂制造商
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