一、工控用贴片二*管参数：

　　晶体管类型: NPN
　　电流 - 集电* (Ic)（*大）: 200mA
　　电压 - 集电*发射*击穿（*大）: 40V
　　Ib、Ic条件下的Vce饱和度（*大）: 300mV @ 5mA, 50mA
　　在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE) :100 @ 10mA, 1V
　　功率 - *大: 227mW
　　频率 - 转换; 300MHz
　　安装类型: 表面贴装
　　封装/外壳: SOT-923F
　　供应商设备封装: SOT-923F
　　包装: 剪切带 (*)

 

二、二*管的特性曲线：
　　与PN结一样，二*管具有单向导电性。硅二*管典型伏安特性曲线。在二*管加有正向电压，当电压值较小时，电流*小；当电压*过0.6V时，电流开始按指数规律*，通常称此为二*管的开启电压；当电压*约0.7V时，二*管处于*导通状态，通常称此电压为二*管的导通电压，用*号UD表示。对于锗二*管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。
　　在二*管加有反向电压，当电压值较小时，电流*小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压*过某个值时，电流开始急剧*，称之为反向击穿，称此电压为二*管的反向击穿电压，用*号UBR表示。不同型号的二*管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

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