砷化镓单晶炉

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VGF 、HB 、HGF 、 VB

产品特点：

★用于GaAs等化合物晶体的生长 ★按结构形式:垂直生长,水平生长

★按生长方式:梯度生长及移动生长 ★晶体生长尺寸: 2-6寸

★设备分类:HB 、HGF 、VGF 、 VB ★提供专用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长制成专用设备,以满足化合物半导体器件的生产、研发工艺。

主要技术指标：

★结构型式：单管水平式，加热炉体可左右移动 ★适合2~4″晶体生长工艺（可定制）。

★炉体有效加热长度:1600mm ★工作温度：1300℃

★恒温区精度（静态闭管）：±0.5℃

★升温速率（室温~1260℃）：斜变升温速率可控在0~15℃/min

★降温（1300℃~900℃）：0~5℃/min ★供电电源：三相五线~380V±10% 50Hz

联系方式

企业名：青岛育豪微电子设备有限公司

类型：生产企业

电话： 0532-87671566

手机：13864877323

联系人：陈先生

QQ：

邮箱：qdyuhao_chen@126.com

地址：山东青岛城阳区流亭工业园协荣路3号

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