高频二三*管2SC1623，NEC，LRC，长电

型号/规格：
2SC1623
品牌/商标：
NEC
封装形式：
SOT-23
*类别：
无铅*型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
功率特性：
大功率
频率特性：
高频
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商品信息

1）*大整流电流IFM

　　二*管在长期稳定工作时，允许通过的*大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量*过限度，就会使PN结烧坏，所以在实际应用时工作电流通常小于IFM。

　　2）*大可重复峰值反向电压VRRM

　　指所能重复施加的反向*高峰值电压，通常是反向击穿电压VBR的一半。击穿时，反向电流剧增，二*管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。

　　3）反向恢复时间Trr

　　当工作电压从正向电压变成反向电压时，电流不能瞬时截止，需延迟一段时间，延迟的时间就是反向恢复时间。Trr直接影响二*管的开关速度，在高频开关状态时，通常此值越小越好。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要，Trr越小管子升温越小，效率越高。

　　4）结电容CJ

　　图1所示的PN结高频等效电路，其中r表示结电阻，CJ表示结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果，它的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大(主要决定于扩散电容CD)。当PN结处于反向偏置时，r为反向电阻，其数值较大，结电容较小 (主要决定于势垒电容CB) 。

　　5）正向电压降VF

　　二*管通过额定正向电流时，在两*间所产生的电压降。通常硅材料的二*管VF大于1V，锗材料、肖特基二*管为0.5V左右。

　　6）反向电流IR

　　指管子击穿时的反向电流，其值愈小，则管子的单向导电性愈好。反向电流IR与温度有密切联系，温度越高，反向电流IR会急剧增加，所以在使用二*管时要注意温度的影响。

　　一般半导体器件手册中都给出不同型号管子的参数，这是正确使用二*管的依据。在高频应用场合，要注意不要*过*大整流电流和*高反向工作电压的同时，还应*注意二*管的*高工作频率（通常由反向恢复时间Trr和结电容CJ决定），否则电路工作不正常或者管子升温严重，影响*性。

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