MIG50J906H\t50A/600V/7U
TOSHIBA(东芝)
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∟ 可控硅(晶闸管)模块(20)
供应东芝模块MIG50J906H
现代IGBT保持了MOSFET作为单极型半导体器件的一系列优点:a. 在很宽的工作电流范围内具有正电阻温度系数。这对于消除双极型功率器件中不可避免隐藏的“束流效应”和由此带来的许多不安全隐患(如双极晶体管中的二次击穿),具有极其重大的实用价值。
b. 其反向恢复过程相对于双极型器件来具有超快、超软、超稳定的特点。这不仅有利于缩短装置中必须考虑的“死区时间”,而且有利于串并联运行。
c.开关速度快得多,达到纳秒量级。
相似型号:
MIG50J904H(901H) 三相桥+7U/50A/600V
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