肖特基（Schottky）二*管也称肖特基势垒二*管（简称*D），是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二*管，其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、*速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二*管、续流二*管、保护二*管使用，或在微波通信等电路中作整流二*管、小信号检波二*管使用。肖特基二*管在结构原理上与PN结二*管有很大区别，它的内部是由阳*金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO₂）电场消除材料、N^-外延层（砷材料）、N型硅基片、N 阴*层及阴*金属等构成，如图所示。在N型基片和阳*金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳*金属接电源正*，N型基片接电源负*）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

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