单晶少子寿命测试仪少子寿命测试仪

品牌/型号：
亚欧/DP-LT-2
是否提供加工定制：
是
测量范围：
5μS～7000μS
测量：
少子寿命测试仪
电源电压：
少子寿命测试仪（V）
尺寸：
少子寿命测试仪（mm）
用途：
少子寿命测试仪
类型：
单晶少子寿命测试仪少子寿命测试仪

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商品信息

单晶少子寿命测试仪少子寿命测试仪型号：DP-LT-2

DP-LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。

本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放大器，*的InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据*。

技术指标：

测试单晶电阻率范围	>2Ω.cm
可测单晶少子寿命范围	5μS～7000μS
配备光源类型	波长：1.09μm；余辉<1 μS；闪光频率为：20～30次／秒；闪光频率为：20～30次／秒；
高频振荡源	用石英谐振器，振荡频率：30MHz
前置放大器	放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz
仪器测量重复误差	<&plu*n;20％
测量方式	采用对标准曲线读数方式
仪器消耗功率	<25W
仪器工作条件	温度： 10-35℃、湿度 < 80％、使用电源：AC 220V，50Hz
可测单晶尺寸	断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器	频宽0—20MHz；电压灵敏：10mV／cm；